單晶硅怎么檢測
本專題涉及單晶硅怎么檢測的標準有119條。
國際標準分類中，單晶硅怎么檢測涉及到紙和紙板、半導體材料、詞匯、太陽能工程、金屬材料試驗、光學設備、工業爐、核能工程、有色金屬、集成電路、微電子學、電池和蓄電池、能源和熱傳導工程綜合、機床、綜合、術語學、標準化、文獻、光纖通信、半導體分立器件、化工產品、輻射測量、職業安全、工業衛生、玻璃、絕緣流體。
在中國標準分類中，單晶硅怎么檢測涉及到元素半導體材料、太陽能、半金屬與半導體材料綜合、化合物半導體材料、、金屬無損檢驗方法、無線電計量、稀有金屬及其合金分析方法、儀器、儀表用材料和元件、技術管理、化學電源、金屬物理性能試驗方法、光通信設備、物理電源、電工材料和通用零件綜合、電磁計量、半金屬及半導體材料分析方法、半導體分立器件綜合、電子技術專用材料。
國家質檢總局，關于單晶硅怎么檢測的標準
- GB/T 12962-2005 硅單晶
- GB/T 12962-2015 硅單晶
- GB/T 12962-1996 硅單晶
- GB/T 29504-2013 300mm 硅單晶
- GB/T 31351-2014 碳化硅單晶拋光片微管密度無損檢測方法
- GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測定方法
- GB/T 12964-2003 硅單晶拋光片
- GB/T 29506-2013 300mm 硅單晶拋光片
- GB/T 30866-2014 碳化硅單晶片直徑測試方法
- GB/T 25076-2010 太陽電池用硅單晶
- GB/T 30656-2023 碳化硅單晶拋光片
- GB/T 30656-2014 碳化硅單晶拋光片
- GB/T 32278-2015 碳化硅單晶片平整度測試方法
- GB/T 41765-2022 碳化硅單晶位錯密度的測試方法
- GB/T 26066-2010 硅晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法
- GB/T 12965-1996 硅單晶切割片和研磨片
- GB/T 12632-1990 單晶硅太陽電池總規范
- GB/T 26065-2010 硅單晶拋光試驗片規范
- GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法
- GB/T 12965-2005 硅單晶切割片和研磨片
- GB/T 1551-1995 硅、鍺單晶電阻率測定 直流兩探針法
- GB/T 29508-2013 300mm 硅單晶切割片和磨削片
- GB/T 26071-2010 太陽能電池用硅單晶切割片
- GB/T 42263-2022 硅單晶中氮含量的測定 二次離子質譜法
- GB/T 30867-2014 碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測試方法
- GB/T 30868-2014 碳化硅單晶片微管密度的測定 化學腐蝕法
- GB/T 24574-2009 硅單晶中Ⅲ-Ⅴ族雜質的光致發光測試方法
- GB/T 4059-1983 硅多晶氣氛區熔磷檢驗方法
UNKNOWN，關于單晶硅怎么檢測的標準
- YB 1602-83 硅單晶
- YB 1602-1983 硅單晶
- YB 1603-83 硅單晶切割片和研磨片
河北省標準，關于單晶硅怎么檢測的標準
- DB13/T 1314-2010 太陽能級單晶硅方棒、單晶硅片
- DB13/T 1828-2013 太陽能級類單晶硅片
- DB13/T 5092-2019 太陽能級類單晶硅錠用方籽晶通用技術要求
行業標準-電子，關于單晶硅怎么檢測的標準
- SJ/T 11501-2015 碳化硅單晶晶型的測試方法
- SJ/T 11500-2015 碳化硅單晶晶向的測試方法
- SJ/T 10173-1991 TDA75單晶硅太陽電池
- SJ/T 11499-2015 碳化硅單晶電學性能的測試方法
- SJ/T 11854-2022 光伏用直拉單晶硅爐
- SJ 20858-2002 碳化硅單晶材料電學參數測試方法
- SJ/T 11853-2022 正壓懸浮區熔單晶硅爐
- SJ/T 11502-2015 碳化硅單晶拋光片規范
- SJ 2572-1985 太陽能電池用硅單晶棒、片
- SJ/T 11864-2022 半絕緣型碳化硅單晶襯底
- SJ/T 2429-1983 空間用單晶硅太陽電池電性能測試方法
- SJ/T 11504-2015 碳化硅單晶拋光片表面質量的測試方法
- SJ/T 11494-2015 硅單晶中III-V族雜質的光致發光測試方法
- SJ/T 11503-2015 碳化硅單晶拋光片表面粗糙度的測試方法
陜西省標準，關于單晶硅怎么檢測的標準
- DB61/T 511-2011 太陽電池用單晶硅棒檢驗規則
- DB61/T 512-2011 太陽電池用單晶硅片檢驗規則
國家計量檢定規程，關于單晶硅怎么檢測的標準
- JJG 48-1990 硅單晶電阻率標準樣片檢定規程
- JJG 48-2004 硅單晶電阻率標準樣片
中國團體標準，關于單晶硅怎么檢測的標準
- T/ZSA 72-2019 碳化硅單晶
- T/IAWBS 001-2021 碳化硅單晶
- T/ZZB 1389-2019 單晶硅光伏電池
- T/CEEIA 769-2023 全自動硅單晶爐
- T/SCSJXH 001-2024 單晶硅PERC太陽電池
- T/NXCL 31-2024 直拉單晶硅生長用錐形籽晶
- T/IAWBS 010-2019 碳化硅單晶拋光片表面質量和微管密度檢測方法-激光散射檢測法
- T/ZZB 2675-2022 TVS用硅單晶研磨片
- T/ZZB 1927-2020 自動單晶硅棒切方機
- T/JSAS 015-2021 單晶硅太陽能電池片
- T/HEBQIA 073-2022 直拉單晶硅用超導磁體
- T/SZBX 118-2023 太陽能電池用單晶硅片
- T/CASME 465-2023 單晶硅無醇制絨添加劑
- T/CEC 290-2019 背接觸單晶硅片技術要求
- T/CAB 0181-2022 硅酸镥和硅酸釔镥閃爍單晶特性參數測量方法
- T/IAWBS 005-2018 6 英寸碳化硅單晶拋光片
- T/IAWBS 016-2022 碳化硅單晶片 X 射線雙晶搖 擺曲線半高寬測試方法
- T/NXCL 30-2024 300 mm低氧含量直拉硅單晶
- T/CEMIA 004-2018 光伏單晶硅生長用石英坩堝
- T/CNIA 0018-2019 多晶硅廠動火受限安全檢測作業規范
- T/IAWBS 014-2021 碳化硅單晶拋光片位錯密度的測試方法
- T/ZS 0596-2024 光伏單晶硅生長用石英坩堝
- T/ZZB 0648-2018 200 mm重摻磷直拉硅單晶拋光片
- T/IAWBS 005-2024 6~8英寸碳化硅單晶拋光片
- T/NXCL 017-2022 300 mm重摻磷直拉硅單晶拋光片
- T/CEMIA 023-2021 半導體單晶硅生長用石英坩堝
- T/NXCL 016-2022 200 mm重摻銻直拉硅單晶拋光片
國家市場監督管理總局、中國國家標準化管理委員會，關于單晶硅怎么檢測的標準
- GB/T 12964-2018 硅單晶拋光片
- GB/T 26069-2022 硅單晶退火片
- GB/T 37418-2019 硅酸镥、硅酸釔镥閃爍單晶
- GB/T 25076-2018 太陽能電池用硅單晶
- GB/T 12965-2018 硅單晶切割片和研磨片
- GB/T 26071-2018 太陽能電池用硅單晶片
行業標準-有色金屬，關于單晶硅怎么檢測的標準
- YS/T 1167-2016 硅單晶腐蝕片
國際半導體協會，關于單晶硅怎么檢測的標準
- SEMI M55-0308-2008 拋光單晶碳化硅晶片規范
- SEMI M81-0611-2011 單晶碳化硅基板上的缺陷指南
韓國科技標準局，關于單晶硅怎么檢測的標準
- KS D 2715-2006 單晶硅和多晶硅納米/微薄膜拉伸的試樣
- KS D 0261-2012(2017) 用鏡面檢查硅晶片
- KS C 0256-2002 硅單結晶及硅片的4探針法的抵抗率測定方法
- KS D 0260-1999 四點探針法測試單晶硅片電阻率的方法
- KS D 0260-1989(1994) 具有四點探針的單晶硅片的電阻率測試方法
德國標準化學會，關于單晶硅怎么檢測的標準
- DIN V VDE V 0126-18-3:2007 太陽能硅片.第3部分:結晶硅片的堿性腐蝕損壞.單晶硅片和多晶硅片腐蝕速度的測定方法
- DIN 50443-1:1988 半導體工藝使用材料的檢驗.第1部分:用X射線外形測量法檢測半導體單晶硅中晶體缺陷和不均勻性
- DIN 50434:1986 半導體工藝材料的檢驗.對(111)和(100)表面采用蝕刻技術的單晶硅的晶體結構缺陷的測定
- DIN 50453-1:1990 半導體工藝材料的檢驗.蝕刻混合劑浸蝕率的測定.第1部分:單晶硅測重法
上海市標準，關于單晶硅怎么檢測的標準
- DB31/ 792-2014 硅單晶及其硅片單位產品能源消耗限額
- DB31/T 792-2014 硅單晶及其硅片單位產品能源消耗限額
- DB31/ 792-2020 硅單晶及其硅片單位產品能源消耗限額
國家軍用標準-總裝備部，關于單晶硅怎么檢測的標準
- GJB 2918-1997 探測器級高阻區熔硅單晶片規范
- GJB 2918A-2017 探測器級高阻區熔硅單晶拋光片規范
- GJB 1431-1992 空間用單晶硅太陽電池總規范
行業標準-黑色冶金，關于單晶硅怎么檢測的標準
- YB 1603-1983 硅單晶切割片和研磨片
行業標準-建材，關于單晶硅怎么檢測的標準
- JC/T 1048-2007 單晶硅生長用石英坩堝
- JC/T 1048-2018 單晶硅生長用石英坩堝
- JC/T 2796-2023 碳化硅單晶用高純石墨粉
RU-GOST R，關于單晶硅怎么檢測的標準
- GOST 24392-1980 單晶硅和鍺.四探針法測定電阻系數
AGMA - American Gear Manufacturers Association，關于單晶硅怎么檢測的標準
- P84FTM2-1984 單刀鋒測量能為您做什么
法國標準化協會，關于單晶硅怎么檢測的標準
- NF C57-203*NF EN 50513:2009 太陽能硅片.太陽能電池生產用晶體硅的數據單和產品信息.晶體硅硅片
江西省標準，關于單晶硅怎么檢測的標準
- DB36/ 771-2013 直拉單晶硅單位產品能源消耗限額
日本工業標準調查會，關于單晶硅怎么檢測的標準
- JIS H 0612:1975 硅單晶片電阻率的測定方法.四探針法
新疆維吾爾自治區標準，關于單晶硅怎么檢測的標準
- DB65/T 3486-2013 太陽能級多晶硅塊紅外探傷檢測方法
內蒙古自治區標準，關于單晶硅怎么檢測的標準
- DB15/T 2234-2021 直拉單晶硅單位產品能源消耗限額
美國材料與試驗協會，關于單晶硅怎么檢測的標準
- ASTM F847-94(1999) 單晶硅片參考面結晶學取向X射線測量的標準試驗方法
美國國防后勤局，關于單晶硅怎么檢測的標準
- DLA SMD-5962-87778 REV A-2001 硅單片功率晶體管線性微電路
- DLA MIL-M-38510/108 A VALID NOTICE 1-2008 微電路、線性、晶體管陣列、單片硅
- DLA MIL-M-38510/108 A VALID NOTICE 2-2013 微電路、線性、晶體管陣列、單片硅
- DLA SMD-5962-87778 REV B-2011 微電路，線性，功率晶體管，單片硅
