GB/T 26066-2010
硅晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法
Practice for shallow etch pit detection on silicon
GBT26066-2010, GB26066-2010
- 標準號
- GB/T 26066-2010
- 別名
- GBT26066-2010, GB26066-2010
- 發布
- 2011年
- 發布單位
- 國家質檢總局
- 當前最新
- GB/T 26066-2010
- 引用標準
- GB/T 14264
- 適用范圍
- 本標準規定了用熱氧化和化學擇優腐蝕技術檢驗拋光片或外延表面因沾污造成的淺腐蝕坑的檢測方法。 本標準適用于檢測<111>或<100>晶向的p型或n型拋光片或外延片，電阻率大于0.001Ω·cm。
GB/T 26066-2010相似標準
推薦
淺析適用于射頻微波等高頻電路的半導體材料及工藝 -1
經過對比測試和分析發現，在磷化鐵氣氛下退火制備的半絕緣磷化銦晶片不僅缺陷少，而且具有良好的均勻性。? ? 為了進一步研究這種退火襯底對相鄰外延層的實際影響，研究人員使用分子柬外延技術分別在原生摻鐵的和磷化鐵氣氛退火制備的半絕緣磷化銦襯底上生長了相同的 InAlAs 外延層。測試結果表明后者更有利于生長具有良好結晶質量的外延層。...
明尼克公司引進國外先進的硅表面鈍化處理工藝
、氣田?氨氣環境測試分析?煉廠提高可靠性降低成本?抗濕度和憎水性應用?含硫化合物采樣、儲存和傳輸?改善發動機性能?煙道氣直接采樣，連續監測?航空、車輛和工業中的抗結焦、耐腐蝕、減少污染應用?海上油田、海洋環境抗鹽水腐蝕?半導體晶片制作?柴油生物、柴油防止結焦?生化藥物分析明尼克承接六大表面處理工藝技術涂覆方法最高溫度用途與功能SilcoNert?硅鈍化處理超級惰性,耐硫化物,痕量硫穩定450℃表面惰性...