T/IAWBS 014-2021
碳化硅單晶拋光片位錯密度的測試方法
Test method for dislocation density of silicon carbide polished wafers
- 標準號
- T/IAWBS 014-2021
- 發布
- 2021年
- 發布單位
- 中國團體標準
- 當前最新
- T/IAWBS 014-2021
- 適用范圍
- 隨著科技的發展和進步，第三代半導體材料碳化硅（SiC）取得了令人矚目的成就，所研發的碳化硅器件的性能指標遠超當前硅基器件，并且成功實現了部分碳化硅器件的產業化，在一些重要的能源領域開始逐步取代硅基電力電子器件，并逐步展現出巨大的潛力。隨著SiC單晶和外延技術的進步，碳化硅器件將逐步展現出其性能和降低系統成本方面的優勢，將被廣泛應用在5G通信、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域。 由于SiC本身的結構特點，在使用SiC形成襯底的過程中，以各種位錯（包括刃位錯、螺位錯及基平面位錯）為代表的微觀缺陷都會急劇增加，從而大大降低襯底的質量。因此，測試碳化硅單晶拋光片的位錯密度對改進襯底質量及器件性能具有重要的意義。
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