圖1 缺陷對雜質的吸收用偏光金相顯微鏡還可以看出單晶硅片的分布規律:邊緣的缺陷密度小,中心的缺陷密度大。可以從圖2和圖3兩幅圖中明顯的看出。??? ?圖2 單晶硅片中心缺陷分布??? ???? 圖3 單晶硅片邊緣缺陷分布在實驗過程中拍攝了一組比較典型的位錯缺陷圖片。對于位錯來說,不同晶面上的位錯坑的形態不一樣。...
研究人員以碳化硅顆粒增強銅金屬基復合材料(Cu/SiCp)為研究對象,使用分子動力學方法模擬其降溫處理過程。研究發現,降溫過程金屬基體中的位錯密度演化經歷了難以形核、快速生成和緩慢發展三個主要階段。...
對微砷鋼的研究還發現,950℃及1100℃下保溫0.5h水冷后組織以馬氏體為主,當保溫時間延長到2h后,組織則以鐵素體為主,其中1100℃下保溫2h水冷最終形成的鐵素體較原始有明顯長大;熱處理過程中,碳化物的數量隨著保溫溫度和保溫時間的增長而減少,其中Cr的碳化物最先溶解,其次是Nb,Ti的碳化物最為穩定;樣品的位錯密度隨著溫度及時間的增長而減小,在1100℃保溫0.5h后位錯基本消失,此時完成了再結晶過程...
導致缺陷產生的主要原因是晶體在生長過程中溫度分布不均,晶體內不同程度的熱應力會引起微管密度和多晶界的增加。因此晶體生長過程中的溫度調控對提升晶體質量而言是關鍵所在。為解決大尺寸碳化硅單晶生長中的溫度分布不均勻問題,我們提出了3段式電阻加熱法。?...
Copyright ?2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP備07018254號 京公網安備1101085018 電信與信息服務業務經營許可證:京ICP證110310號