針對挑戰,浙江大學通過設計碳化硅單晶生長設備的新型熱場、發展碳化硅源粉的新技術、開發碳化硅單晶生長的新工藝,顯著提升了碳化硅單晶的生長速率,成功生長出了厚度達到 50 mm 的 6 英寸碳化硅單晶。而且碳化硅單晶的晶體質量達到了業界水平。...
記者今天從中國科學院上海硅酸鹽研究所獲悉,該所科技人員立足自主研發,在掌握直徑2英寸、3英寸碳化硅單晶生長技術之后,2月4日,成功生長出直徑4英寸4H晶型碳化硅單晶,這標志著我國碳化硅單晶生長技術達到了國際一流水平。 據介紹,碳化硅單晶是一種寬禁帶半導體材料,具有禁帶寬度大,飽和漂移速度高,臨界擊穿場強大,熱導率高等諸多特點,主要用于制作高亮度LED、二極管、MOSFET等器件。...
這是該刊物首次刊登關于碳化硅單晶基光導開關的研究論文。采用透明電極的碳化硅單晶基光導開關正極(左圖)、負極(中圖)結構示意圖和采用改變輸入激光的峰值功率密度與光照面積連續調控器件導通電阻的結果(右圖) 以上研究得到國家自然科學基金、國家重點研發計劃和中科院等有關項目的支持。...
直拉法應用最廣,80%的硅單晶、大部分鍺單晶和銻化銦單晶是用此法生產的,其中硅單晶的最大直徑已達300毫米。在熔體中通入磁場的直拉法稱為磁控拉晶法,用此法已生產出高均勻性硅單晶。在坩堝熔體表面加入液體覆蓋劑稱液封直拉法,用此法拉制砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等分解壓較大的單晶。懸浮區熔法的熔體不與容器接觸,用此法生長高純硅單晶。水平區熔法用以生產鍺單晶。...
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