6、晶片拋光:通過機械拋光和化學機械拋光方法得到表面無損傷的碳化硅拋光片。7、晶片檢測:使用光學顯微鏡、X射線衍射儀、表面平整度測試儀、表面缺陷綜合測試儀等儀器設備,檢測碳化硅晶片的微管密度、表面粗糙度、電阻率、彎曲度、厚度變化、表面劃痕等各項參數指標。8、晶片清洗:以清洗藥劑和純水對碳化硅拋光片進行清洗處理,去除拋光片上殘留的拋光液等表面沾污物,再通過超高純氮氣和甩干機將晶片吹干、甩干。...
針對挑戰,浙江大學通過設計碳化硅單晶生長設備的新型熱場、發展碳化硅源粉的新技術、開發碳化硅單晶生長的新工藝,顯著提升了碳化硅單晶的生長速率,成功生長出了厚度達到 50 mm 的 6 英寸碳化硅單晶。而且碳化硅單晶的晶體質量達到了業界水平。...
直拉法應用最廣,80%的硅單晶、大部分鍺單晶和銻化銦單晶是用此法生產的,其中硅單晶的最大直徑已達300毫米。在熔體中通入磁場的直拉法稱為磁控拉晶法,用此法已生產出高均勻性硅單晶。在坩堝熔體表面加入液體覆蓋劑稱液封直拉法,用此法拉制砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等分解壓較大的單晶。懸浮區熔法的熔體不與容器接觸,用此法生長高純硅單晶。水平區熔法用以生產鍺單晶。...
記者今天從中國科學院上海硅酸鹽研究所獲悉,該所科技人員立足自主研發,在掌握直徑2英寸、3英寸碳化硅單晶生長技術之后,2月4日,成功生長出直徑4英寸4H晶型碳化硅單晶,這標志著我國碳化硅單晶生長技術達到了國際一流水平。 據介紹,碳化硅單晶是一種寬禁帶半導體材料,具有禁帶寬度大,飽和漂移速度高,臨界擊穿場強大,熱導率高等諸多特點,主要用于制作高亮度LED、二極管、MOSFET等器件。...
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