拉曼光譜測試儀 | 用于碳化硅單晶拋光片多型檢測的專用設備。 |
近日,中國科學院物理研究所北京凝聚態物理國家實驗室(籌)先進材料與結構分析實驗室團隊人員與北京天科合達藍光半導體有限公司合作,成功研制出了6英寸碳化硅(SiC)單晶襯底。 據悉,碳化硅屬于第三代半導體材料,是制造高亮度LED、電力電子功率器件以及射頻微波器件的理想襯底。 上圖 科研人員在...
碳化硅(SiC)單晶是一種寬禁帶半導體材料,具有禁帶寬度大、臨界擊穿場強大、熱導率高、飽和漂移速度高等諸多特點,被廣泛應用于制作高溫、高頻及大功率電子器件。此外,由于SiC和氮化鎵(GaN)的晶格失配小,SiC單晶是GaN基LED、肖特基二極管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想襯底...
據浙江大學杭州國際科創中心發布,近日浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院-乾晶半導體聯合實驗室和浙江大學硅材料國家重點實驗室在浙江省“尖兵計劃”等研發項目的資助下,成功生長出厚度達到 50 mm 的 6 英寸碳化硅單晶。該重要進展意味著,碳化硅襯底成本有望大幅降低,半導體碳化硅產業發展或將迎來...
記者今天從中國科學院上海硅酸鹽研究所獲悉,該所科技人員立足自主研發,在掌握直徑2英寸、3英寸碳化硅單晶生長技術之后,2月4日,成功生長出直徑4英寸4H晶型碳化硅單晶,這標志著我國碳化硅單晶生長技術達到了國際一流水平。 據介紹,碳化硅單晶是一種寬禁帶半導體材料,具有禁帶寬度大,飽和...
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