測量范圍寬廣測試儀可直接測量:?a、研磨或切割面:電阻率≥0.5Ω?cm的單晶硅棒、定向結晶多晶硅塊少子體壽命,切割片的少子相對壽命。?b、拋光面:電阻率在0.5~0.01Ω?cm范圍內的硅單晶、鍺單晶拋光片。...
絕大多數半導體器件是在單晶片或以單晶片為襯底的外延片上作出的。成批量的半導體單晶都是用熔體生長法制成的。直拉法應用最廣,80%的硅單晶、大部分鍺單晶和銻化銦單晶是用此法生產的,其中硅單晶的最大直徑已達300毫米。在熔體中通入磁場的直拉法稱為磁控拉晶法,用此法已生產出高均勻性硅單晶。在坩堝熔體表面加入液體覆蓋劑稱液封直拉法,用此法拉制砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等分解壓較大的單晶。...
測量范圍均為0-500μm.Elcometer 224表面粗糙度儀使用,正確的操作不僅能夠達到更為的測量,還能夠對儀器產生保護,Elcometer 224表面粗糙度儀均使用碳化鎢針尖,按下儀器開關鍵并保持到屏幕直接顯示“Elcometer”圖標后,儀器既開啟。測試時,將探頭垂直放在被測表面,屏幕即時可數字顯示測試數值。...
測量范圍寬廣測試儀可直接測量:?a、研磨或切割面:電阻率≥0.5Ω?cm的單晶硅棒、定向結晶多晶硅塊少子體壽命,切割片的少子相對壽命。?b、拋光面:電阻率在0.5~0.01Ω?cm范圍內的硅單晶、鍺單晶拋光片。...
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