材料的電阻率表示為:用式(4-1-4)計算的Pi與實際測得的Pi相差極大,因為在實際上沒有真正無雜質的純晶體。電子密度Ni與溫度關系較大,隨溫度變化快。Ni與μe(h)比較,μe(h)隨溫度變化較慢一些:6.幾種材料的禁帶度禁帶寬度越寬,晶體的使用溫度越高,0.66eV(低溫)→1.45eV(室溫)→2.8eV(高溫)。鍺原子序數為32,碘化鈉原子序數為11、53,因此兩個探測器探測效率相差不多。...
校準規范JJF(有色金屬) 0001-2021慢應變速率應力腐蝕試驗機校準規范JJF(有色金屬) 0002-2021激光誘導擊穿光譜儀校準規范JJF(有色金屬) 0003-2021周期浸潤試驗箱校準規范JJF(有色金屬) 0004-2021材料力學性能測試用非接觸式視頻引伸計校準規范JJF(有色金屬) 0005-2021有色金屬材料用多維探測器X射線衍射儀校準規范JJF(建材)176-2021低輻射鍍膜玻璃膜面輻射率測試儀校準規范...
STM樣品的制備:作為一種表面分析技術,STM適用于各種導電樣品的表面結構研究。樣品必須具有一定程度的導電性;1、對于金屬、半導體的樣品材料,首先要對其進行拋光處理,然后在真空或者超真空條件下,對樣品進行熱處理(退火)、離子濺射轟擊等處理,以便獲得除去表面污物的平整的原子級表面晶面。2、對于半導體,需要采用加熱去氧化的工藝除去表面的氧化物。...
STM樣品的制備:作為一種表面分析技術,STM適用于各種導電樣品的表面結構研究。樣品必須具有一定程度的導電性;1、對于金屬、半導體的樣品材料,首先要對其進行拋光處理,然后在真空或者超真空條件下,對樣品進行熱處理(退火)、離子濺射轟擊等處理,以便獲得除去表面污物的平整的原子級表面晶面。2、對于半導體,需要采用加熱去氧化的工藝除去表面的氧化物。...
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