T/IAWBS 013-2019
半絕緣碳化硅單晶片電阻率非接觸測量方法
The measurement method of resistivity for semi-insulating silicon carbide substrate
- 標準號
- T/IAWBS 013-2019
- 發布
- 2019年
- 發布單位
- 中國團體標準
- 當前最新
- T/IAWBS 013-2019
- 適用范圍
- SiC是繼第一代以Si為代表的半導體材料和以砷化鎵為代表的第二代半導體材料之后的第三代寬禁帶半導體材料，由于自身的物理性能的優勢，碳化硅作為襯底材料在極端物理條件下具有得天獨厚的優勢，特別在高溫、高頻、強磁場、抗輻射等方面顯示出獨特的優勢。 高純半絕緣SiC襯底在通信領域有大量應用，同時，高純半絕緣SiC襯底作為GaN HEMT微波功率器件的關鍵襯底材料，具有重要的軍事意義。隨著5G時代到來，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代寬禁帶半導體材料將迎來發展機遇。 高純半絕緣SiC襯底電阻率的大小及分布的均勻性是影響器件質量的關鍵參數。因此，準確測量SiC襯底電阻率，對改進襯底制備工藝及器件電學性能具有重要的意義。研究高純半絕緣SiC電阻率非接觸測量方法，統一行業內測試標準，對SiC相關行業之間交流及發展具有重大推動作用。
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