SJ/T 11499-2015
碳化硅單晶電學性能的測試方法
Test method for measuring electrical properties of monocrystalline silicon carbide
SJT11499-2015, SJ11499-2015
- 標準號
- SJ/T 11499-2015
- 別名
- SJT11499-2015, SJ11499-2015
- 發布
- 2015年
- 發布單位
- 行業標準-電子
- 當前最新
- SJ/T 11499-2015
- 適用范圍
- 本標準規定了碳化硅晶體材料導電類型、電阻率、遷移率、載流子濃度的測試方法。本標準適用于在(-263.15~426.85)℃溫度范圍內,電阻率在1×105 Ω·cm以下、晶型為6H和4H的碳化硅單晶的電學性能測試。
SJ/T 11499-2015相似標準
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