SJ/T 11499-2015
碳化硅單晶電學性能的測試方法
Test method for measuring electrical properties of monocrystalline silicon carbide
SJT11499-2015, SJ11499-2015
SJ/T 11499-2015 發布歷史
SJ/T 11499-2015由行業標準-電子 CN-SJ 發布于 2015-04-30，并于 2015-10-01 實施。
SJ/T 11499-2015 在中國標準分類中歸屬于: H83 化合物半導體材料，在國際標準分類中歸屬于: 29.045 半導體材料。
SJ/T 11499-2015 碳化硅單晶電學性能的測試方法的最新版本是哪一版？
最新版本是 SJ/T 11499-2015 。
SJ/T 11499-2015的歷代版本如下：
- 2015年 SJ/T 11499-2015 碳化硅單晶電學性能的測試方法
本標準規定了碳化硅晶體材料導電類型、電阻率、遷移率、載流子濃度的測試方法。本標準適用于在(-263.15~426.85)℃溫度范圍內,電阻率在1×10 Ω·cm以下、晶型為6H和4H的碳化硅單晶的電學性能測試。
SJ/T 11499-2015相似標準
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