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  • IEC 60749-3-2002
    半導體器件.機械和氣候試驗方法.第3部分:外觀檢驗

    Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 3: External visual examination


     

     

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    標準號
    IEC 60749-3-2002
    發布日期
    2002年04月
    實施日期
    廢止日期
    中國標準分類號
    L40
    國際標準分類號
    31.080.01
    發布單位
    IX-IEC
    被代替標準
    IEC 47/1531A/CDV-2000 IEC 47/1596/FDIS-2002 IEC 60749-1996 IEC 60749 AMD 2-2001 IEC 60749 Edition 2.2-2002 IEC/PAS 62163-2000
    適用范圍
    The purpose of this part of IEC 60749 is to verify that the materials, design, construction, markings, and workmanship of a semiconductor device are in accordance with the applicable procurement document. External visual inspection is a non-destructive test and applicable for all package types. The test is useful for qualification, process monitor, or lot acceptance, or both.

    IEC 60749-3-2002系列標準

    IEC 60749-1 Corrigendum 1-2003 半導體器件.機械和環境試驗方法.第1部分:總則 IEC 60749-1-2002 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第1部分:總則 IEC 60749-10 Corrigendum 1-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第10部分:機械沖擊 IEC 60749-10-2022 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第10部分:機械沖擊.器件和組件 IEC 60749-11 Corrigendum 1-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第11部分:溫度的急速變化.雙液電鍍槽法 IEC 60749-11 Corrigendum 2-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第11部分:溫度的急速變化.雙液電鍍槽法 IEC 60749-11-2002 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第11部分: 溫度的急速變化.雙液電鍍槽法 IEC 60749-12 Corrigendum 1-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第12部分:振動、可變頻率 IEC 60749-12-2017 半導體器件 - 機械和氣候試驗方法 - 第12部分:振動 變頻 IEC 60749-13 Corrigendum 1-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第13部分:鹽性環境 IEC 60749-13-2018 IEC 60749-13-2018 IEC 60749-14-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第14部分:終端裝置的堅固性(引線牢固性) IEC 60749-15 Edition 2.0-2010 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第15部分:透孔安裝設備對焊接溫度的抗性 IEC 60749-15-2020 半導體器件 - 機械和氣候測試方法 - 第15部分:通孔安裝器件的耐焊接溫度 IEC 60749-16-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第16部分:粒子沖擊噪聲探測(PIND) IEC 60749-17-2019 半導體器件 - 機械和氣候測試方法 - 第17部分:中子照射 IEC 60749-18-2019 半導體器件 - 機械和氣候測試方法 - 第18部分:電離輻射(總劑量) IEC 60749-19 AMD 1-2010 修改件1.半導體器件.機械和環境試驗方法.第19部分:剪切強度試驗 IEC 60749-19 Edition 1.1-2010 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第19部分:模剪切強度 IEC 60749-19-2003/AMD1-2010 修改件1.半導體器件.機械和氣候試驗方法.第19部分:模具剪切強度 IEC 60749-19-2003/AMD1-2010 修改件1.半導體器件.機械和氣候試驗方法.第19部分:模具剪切強度 IEC 60749-9:2017 半導體器件機械和氣候試驗方法第9部分:標記持久性 IEC 60749-2 Corrigendum 1-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第2部分:低氣壓 IEC 60749-2-2002 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第2部分:低氣壓 IEC 60749-20 CORR 1-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第20部分:塑料封裝的SMDs抗濕氣和焊接熱的綜合影響 IEC 60749-20-1-2019 半導體器件 - 機械和氣候測試方法 - 第20-1部分:表面貼裝裝置的處理 包裝 標簽和運輸對水分和焊接熱的綜合影響敏感 IEC 60749-20-2020 半導體器件 - 機械和氣候測試方法 - 第20部分:塑料封裝Smds的電阻與水分和焊接熱的組合效應 IEC 60749-21-2011 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第21部分:可焊性 IEC 60749-22 Corrigendum 1-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第22部分:粘接強度 IEC 60749-22-2002 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第22部分:粘接強度 IEC 60749-23 AMD 1-2011 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第23部分:高溫壽命周期 IEC 60749-23 Edition 1.1-2011 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第23部分:高溫下的工作壽命 IEC 60749-23-2011 IEC 60749-23-2011 IEC 60749-23-2004/AMD1-2011 修改件1.半導體器件.機械和氣候試驗方法.第23部分:高溫工作壽命 IEC 60749-24-2005 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第24部分:加速抗濕性.無偏HAST IEC 60749-25-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第25部分:溫度循環 IEC 60749-26-2018 半導體器件 - 機械和氣候試驗方法 - 第26部分:靜電放電(ESD)靈敏度測試 - 人體模型(HBM) IEC 60749-27 AMD 1-2012 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第27部分:靜電放電(ESD)敏感度檢驗.機器模型(MM).修改件1 IEC 60749-27 Edition 2.1-2012 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第27部分:靜電放電(ESD)敏感度檢測.機械模型(MM) IEC 60749-27-2006/AMD1-2012 修改件1.半導體器件.機械和氣候試驗方法.第27部分:靜電放電(ESD)靈敏度試驗.機器模型(MM) IEC 60749-27-2006/AMD1-2012 修改件1.半導體器件.機械和氣候試驗方法.第27部分:靜電放電(ESD)靈敏度試驗.機器模型(MM) IEC 60749-28-2022 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第28部分:靜電放電(ESD)靈敏度試驗.帶電器件模型(CDM).器件級 IEC 60749-29-2011 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第29部分:閉鎖試驗 IEC 60749-3 Corrigendum 1-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第3部分:外觀檢驗 IEC 60749-30 AMD 1-2011 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第30部分:先于可靠性測試的非密封性表面貼裝設備的預處理 IEC 60749-30 Edition 1.1-2011 半導體器件的機械和環境試驗.第30部分:非密封表面安裝設備可靠性測試前的預處理 IEC 60749-30-2020 半導體器件 - 機械和氣候測試方法 - 第30部分:在可靠性測試之前對非密封性表面貼裝器件進行預處理 IEC 60749-30-2005/AMD1-2011 修改件1.半導體器件.機械和氣候試驗方法.第30部分:可靠性試驗前非密封表面安裝器件的預處理 IEC 60749-31 Corrigendum 1-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第31部分:塑料密封器件的易燃性(內部引起的) IEC 60749-31-2002 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第31部分:塑料密封器件的易燃性(內部感應) IEC 60749-32 AMD 1-2010 修改件1.半導體器件.機械和環境試驗方法.第32部分:塑料密封器件的易燃性(外部引起的) IEC 60749-32 Corrigendum 1-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第32部分:塑料密封器件的易燃性(外部引起的) IEC 60749-32 Edition 1.1-2010 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第32部分:塑料密封器件的易燃性(外部感應) IEC 60749-32-2002/AMD1-2010 修改件1.半導體器件.機械和氣候試驗方法.第32部分:塑料封裝器件的可燃性(外部誘導) IEC 60749-32-2002/AMD1-2010 修改件1.半導體器件.機械和氣候試驗方法.第32部分:塑料封裝器件的可燃性(外部誘導) IEC 60749-33-2005 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第33部分:加速抗濕.無偏壓熱器 IEC 60749-34 Edition 2.0-2010 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第34部分:電力循環 IEC 60749-34-2010 半導體器件.機械和環境測試方法.第34部分:電力循環 IEC 60749-35-2006 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第35部分:塑封電子器件的超聲顯微檢測方法 IEC 60749-36-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第36部分:穩態加速 IEC 60749-37-2008 半導體裝置.機械和氣候試驗方法.第37部分:用加速計的電路板級落錘試驗方法 IEC 60749-38-2008 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第38部分:帶存儲器的半導體器件用軟錯誤試驗法 IEC 60749-39-2021 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第39部分:半導體元件用有機材料中水分擴散率和水溶性的測量 IEC 60749-4 Corrigendum 1-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第4部分:濕熱、穩態、高加速應力試驗 IEC 60749-4-2017 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第4部分:濕熱,穩態,高加速應力試驗 IEC 60749-40-2011 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第40部分:使用應變計的板級跌落試驗方法 IEC 60749-41-2020 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第41部分:非易失性存儲器器件的標準可靠性試驗方法 IEC 60749-42-2014 半導體器件. 機械和氣候試驗方法. 第42部分: 溫度和濕度存儲 IEC 60749-43-2017 半導體器件 - 機械和氣候測試方法 - 第43部分:Ic可靠性資格認證計劃指南 IEC 60749-44-2016 半導體器件 - 機械和氣候測試方法第44部分:中子束照射單事件效應(見)半導體器件測試方法 IEC 60749-5-2017 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第5部分:穩態溫度濕度偏差耐久性試驗 IEC 60749-6 Corrigendum 1-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存 IEC 60749-6-2017 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存 IEC 60749-7 CORR 1-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第7部分:其他殘余氣體的分析和內部含水量的測量 IEC 60749-7-2011 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第7部分:其他殘余氣體的分析和內部水分含量的測量 IEC 60749-8 Corrigendum 1-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第8部分:密封 IEC 60749-8 Corrigendum 2-2003 半導體器件.機械和環境試驗方法.第8部分:密封 IEC 60749-8-2002 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第8部分:密封 IEC 60749-9 Corrigendum 1-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第9部分:標記的持久性 IEC 60749-9-2017 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第9部分:標記的永久性

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