IEC 60749-2:2002
半導體器件.機械和氣候試驗方法.第2部分:低氣壓
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 2: Low air pressure
- 標準號
- IEC 60749-2:2002
- 發布
- 2002年
- 中文版
- GB/T 4937.2-2006 (等同采用的中文版本)
- 發布單位
- 國際電工委員會
- 替代標準
- IEC 60749-2:2002/COR1:2003
- 當前最新
- IEC 60749-2:2002/COR1:2003
- 被代替標準
- IEC 47/1601/FDIS:2002 IEC 60749:1996 IEC 60749 AMD 1:2000 IEC 60749 AMD 2:2001 IEC 60749 Edition 2.2:2002
- 適用范圍
- 本部分適用于半導體器件的低氣壓試驗。本項試驗的口的是測定元器件和材料避免電擊穿失效的能力，而這種失效是由于氣壓減小時，空氣和其他絕緣材料的絕緣強度減弱所造成的。本頂試驗僅適用于，工作電壓超過1 000 V的器件。 本項試驗適用于所有的空封半導體器件。本試驗儀適用于軍事和空間領域。 本項低氣壓試驗方法和IEC 60068-2-13大體上一致，但鑒于半導體器件的特殊要求，使用本部分條款。
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