國家市場監督管理總局、中國國家標準化管理委員會,關于硅氧硅的紅外吸收峰的標準 GB/T 1557-2018 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法 國家質檢總局,關于硅氧硅的紅外吸收峰的標準 GB/T 1557-2006 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法 GB/T 1557-1989 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法 德國標準化學會,關于硅氧硅的紅外吸收峰的標準 DIN 50438...
直拉晶體硅中摻氮可用來調控原生氧沉淀和空洞型缺陷,從而提高硅晶體的質量,已經在產業界廣泛應用,除了間隙氧、代位碳、III-V族元素檢測以外,氮的測量也是硅材料界的一個熱點課題。眾所周知,直拉單晶硅中含有較高濃度(濃度范圍1017-1018cm-3)的間隙氧(Oi),當氮摻入直拉硅單晶中時,除了以氮-氮對(N-N)形式存在以外,氮還會和氧作用形成氮氧復合體(N-O complexes)。...
;聲子光譜、半導體材料帶隙,低維異質結構厚度以及電子特性研究;外延層厚度分析:同質外延,異質外延,單層,多層;紅外光電探測器器件光譜響應表征:光電流譜;紅外發光器件、激光器等電致發光器件中心波長、線寬、帶寬表征:ICL,QCL,VCSEL;工業高純晶體硅質量控制:間隙氧,代位碳,III_VI族雜質元素分析;光伏硅晶體質量控制:間隙氧,代位碳,施主,受主元素含量;切割前硅晶棒、硅錠中氧含量軸向分布分析...
部分內容如下表:標準編號標準名稱代替標準號實施日期GB/T 1557-2018硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法GB/T 1557-20062019/6/1GB/T 3884.20-2018銅精礦化學分析方法 第20部分:汞量的測定 固體進樣直接法2019/6/1GB/T 3884.21-2018銅精礦化學分析方法 第21部分:銅、硫、鉛、鋅、鐵、鋁、鈣、鎂、錳量的測定 波長色散X射線熒光光譜法2019...
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