GB/T 19444-2004
硅片氧沉淀特性的測定-間隙氧含量減少法
Oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction
GBT19444-2004, GB19444-2004
- 標準號
- GB/T 19444-2004
- 別名
- GBT19444-2004, GB19444-2004
- 發布
- 2004年
- 采用標準
- ASTM F1239-94 IDT
- 發布單位
- 國家質檢總局
- 當前最新
- GB/T 19444-2004
- 適用范圍
- 本標準規定了由測量硅片間隙氧含量的減少量來檢驗硅片氧沉淀特性的方法原理、取樣規則、熱處理程序、試驗步驟、數據計算等內容。 本標準用于定性比較兩批或多批集成電路用硅片間隙氧沉淀特性。
GB/T 19444-2004相似標準
推薦
摻氮直拉單晶硅（Nitrogen-doped CZ Silicon, NCZ-Si）中氮的低溫遠紅外測量
在半導體材料領域，硅基半導體材料目前產量最大、應用最廣，90%以上的半導體產品仍用單晶硅作為襯底材料制作。目前大尺寸硅片已成為硅片市場最主流的產品。硅片生產中在拉晶過程中，需要解決氧含量及徑向均勻性、雜質的控制、缺陷控制、氧沉淀控制、電阻值定量、摻雜及徑向均勻性等眾多問題，同時對檢測表征等保障技術也提出了更高的要求。...
紅外光譜法在硅中氧碳含量測定上的應用
依據G B/T 1558-2009和G B/T 1557-2006，紅外光譜法可以在對單晶硅中代位碳和間隙氧進行定性的同時進行定量測定,具有快速、方便、準確的優點。?關鍵詞： 紅外光譜法 ?單晶硅 ?碳氧含量 ?定量測定? · 原理利用硅中代位碳原子和間隙氧原子分別在波數607.2cm -1和1107cm -1 有特征吸收，根據吸收峰的吸收系數來確定代位碳原子濃度和間隙氧原子的濃度。????...
氧氮分析儀測定石墨烯中的氧含量
引言石墨烯是由碳元素組成的二維蜂窩狀點陣結構材料。由于其具有良好的電子傳輸能力、導熱性、高強度、超輕薄、超大比表面積等特性，在電池材料方面有廣泛的應用。石墨烯中氧的含量對材料的結構和性能有很大的影響，準確測定石墨烯中的氧非常重要。材料中氧的測定方法有庫侖法，氫損法，脈沖加熱惰氣熔融-紅外法。...