目前大尺寸硅片已成為硅片市場最主流的產品。硅片生產中在拉晶過程中,需要解決氧含量及徑向均勻性、雜質的控制、缺陷控制、氧沉淀控制、電阻值定量、摻雜及徑向均勻性等眾多問題,同時對檢測表征等保障技術也提出了更高的要求。直拉晶體硅中摻氮可用來調控原生氧沉淀和空洞型缺陷,從而提高硅晶體的質量,已經在產業界廣泛應用,除了間隙氧、代位碳、III-V族元素檢測以外,氮的測量也是硅材料界的一個熱點課題。...
關鍵詞: 紅外光譜法 ?單晶硅 ?碳氧含量 ?定量測定? · 原理利用硅中代位碳原子和間隙氧原子分別在波數607.2cm -1和1107cm -1 有特征吸收,根據吸收峰的吸收系數來確定代位碳原子濃度和間隙氧原子的濃度。????...
國家市場監督管理總局、中國國家標準化管理委員會,關于硅氧硅的紅外吸收峰的標準 GB/T 1557-2018 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法 國家質檢總局,關于硅氧硅的紅外吸收峰的標準 GB/T 1557-2006 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法 GB/T 1557-1989 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法 德國標準化學會,關于硅氧硅的紅外吸收峰的標準 DIN 50438...
碳在硅中呈替代位置,是中性等電子雜質,但易與氧和缺陷構成復合體,誘生其他缺陷,是硅中的有害雜質,當碳濃度很高時會導致P-N結過早擊穿。因此,有效控制硅晶體中氧、碳的含量是非常重要的。紅外吸收光譜法由于制樣簡單、測試快捷準確,成為商業生產硅片中氧、碳含量測定的特征技術。但是對于重摻硅襯底中氧、碳濃度的測試,紅外吸收光譜法(FTIR)就無能為力,因為這種襯底中的自由載流子使紅外吸收峰變模糊。...
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