GB/T 1557-2006
硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
The method of determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption
GBT1557-2006, GB1557-2006
GB/T 1557-2006 發布歷史
GB/T 1557-2006由國家質檢總局 CN-GB 發布于 2006-07-18，并于 2006-11-01 實施，于 2019-06-01 廢止。
GB/T 1557-2006 在中國標準分類中歸屬于: H17 半金屬及半導體材料分析方法，在國際標準分類中歸屬于: 77.040.01 金屬材料試驗綜合。
GB/T 1557-2006 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法的最新版本是哪一版？
最新版本是 GB/T 1557-2018 。
GB/T 1557-2006 采用標準及采用方式
- MOD ASTM F1188-00紅外線吸收法測定硅中填隙原子氧含量的標準試驗方法
GB/T 1557-2006 發布之時，引用了標準
- ASTM E131 分子光譜相關術語和符號的標準定義
- GB/T 14264 半導體材料術語*， 2024-04-25 更新
* 在 GB/T 1557-2006 發布之后有更新，請注意新發布標準的變化。
GB/T 1557-2006的歷代版本如下：
- 2018年 GB/T 1557-2018 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
- 2006年 GB/T 1557-2006 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
- 1989年 GB/T 1557-1989 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
GB/T 1557-2006 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法 由 GB/T 14143-1993 300-900μm硅片間隙氧含量紅外吸收測量方法 變更而來。
本標準規定了采用紅外光譜法測定硅單晶中的間隙氧含量的方法。 本標準適用于室溫電阻率大于0.1Ω?cm的n型硅單晶和室溫電阻率大于0.5Ω?cm的p型硅單晶中間隙氧含量的測量。 本標準測量氧含量的有效范圍從1×10at?cm到硅中間隙氧的最大固溶度。
- 標準號
- GB/T 1557-2006
- 別名
- GBT1557-2006
GB1557-2006 - 發布
- 2006年
- 采用標準
- ASTM F1188-00 MOD
- 發布單位
- 國家質檢總局
- 替代標準
- GB/T 1557-2018
- 當前最新
- GB/T 1557-2018
- 引用標準
- ASTM E131 GB/T 14264
- 被代替標準
- GB/T 1557-1989 GB/T 14143-1993
GB/T 1557-2006相似標準
推薦
快速了解硅氧的吸收峰
國家市場監督管理總局、中國國家標準化管理委員會，關于硅氧硅的紅外吸收峰的標準 GB/T 1557-2018 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法 國家質檢總局，關于硅氧硅的紅外吸收峰的標準 GB/T 1557-2006 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法 GB/T 1557-1989 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法 德國標準化學會，關于硅氧硅的紅外吸收峰的標準 DIN 50438...
摻氮直拉單晶硅（Nitrogen-doped CZ Silicon, NCZ-Si）中氮的低溫遠紅外測量
直拉晶體硅中摻氮可用來調控原生氧沉淀和空洞型缺陷，從而提高硅晶體的質量，已經在產業界廣泛應用，除了間隙氧、代位碳、III-V族元素檢測以外，氮的測量也是硅材料界的一個熱點課題。眾所周知，直拉單晶硅中含有較高濃度（濃度范圍1017-1018cm-3）的間隙氧（Oi），當氮摻入直拉硅單晶中時，除了以氮-氮對（N-N）形式存在以外，氮還會和氧作用形成氮氧復合體（N-O complexes）。...
展會預告|與您相約SEMICON CHINA 2023
；聲子光譜、半導體材料帶隙，低維異質結構厚度以及電子特性研究；外延層厚度分析：同質外延，異質外延，單層，多層；紅外光電探測器器件光譜響應表征：光電流譜；紅外發光器件、激光器等電致發光器件中心波長、線寬、帶寬表征：ICL，QCL，VCSEL；工業高純晶體硅質量控制：間隙氧，代位碳，III_VI族雜質元素分析；光伏硅晶體質量控制：間隙氧，代位碳，施主，受主元素含量；切割前硅晶棒、硅錠中氧含量軸向分布分析...
明天見 | 布魯克光譜邀您參加SEMICON CHINA 2024
、量子阱、超晶格；聲子光譜、半導體材料帶隙，低維異質結構厚度以及電子特性研究；外延層厚度分析：同質外延，異質外延，單層，多層；紅外光電探測器器件光譜響應表征：光電流譜；紅外發光器件、激光器等電致發光器件中心波長、線寬、帶寬表征：ICL，QCL，VCSEL；工業高純晶體硅質量控制：間隙氧，代位碳，III-V族雜質元素分析；光伏硅晶體質量控制：間隙氧，代位碳，施主，受主元素含量；切割前硅晶棒、硅錠中氧含量軸向分布分析...