半導體器件 高溫試驗
本專題涉及半導體器件 高溫試驗的標準有320條。
國際標準分類中，半導體器件 高溫試驗涉及到半導體分立器件、半導體材料、電子設備用機械構件、環境試驗、電工和電子試驗、光電子學、激光設備、集成電路、微電子學、表面處理和鍍涂、整流器、轉換器、穩壓電源、軟件開發和系統文件、道路車輛裝置、長度和角度測量、電子顯示器件、電子電信設備用機電元件。
在中國標準分類中，半導體器件 高溫試驗涉及到半導體分立器件綜合、電力半導體器件、部件、敏感元器件及傳感器、、半導體分立器件、半導體三極管、半導體光敏器件、半導體集成電路、技術管理、可靠性和可維護性、電子元器件、半導體整流器件、物質成份分析儀器與環境監測儀器、激光器件、基礎標準和通用方法、微電路綜合、能源、核技術綜合。
英國標準學會，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- BS EN 60749-6:2002 半導體器件.機械和氣候試驗方法.高溫下儲存
- BS EN 60749-23:2004 半導體器件.機械和氣候試驗方法.高溫操作壽命
- BS EN 60749-23:2004+A1:2011 半導體器件.機械和氣候試驗方法.高溫使用壽命
- BS IEC 60747-14-5:2010 半導體器件.半導體傳感器.PN-結點半導體溫度傳感器
- BS EN 60749-6:2017 半導體器件 機械和氣候測試方法 高溫儲存
- BS EN 60749-25:2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.溫度循環
- BS EN 60749-38:2008 半導體器件.機械和氣候試驗方法.帶存儲器的半導體器件用軟錯誤試驗法
- 07/30164953 DC IEC 60747-14-5 半導體器件 分立器件 第14-5部分 半導體傳感器 PN 結半導體溫度傳感器
- BS IEC 62047-29:2017 半導體器件 微機電器件 室溫下獨立式導電薄膜機電松弛試驗方法
- BS EN 60749-42:2014 半導體器件. 機械和氣候試驗方法. 溫度和濕度存儲
- BS IEC 60747-14-4:2011 半導體器件.分立器件.半導體加速器
- BS IEC 60747-5-4:2022 半導體器件-光電器件 半導體激光器
- BS EN 62416:2010 半導體器件.金屬氧化物半導體(MOS)晶體管的熱載流子試驗
- BS EN 60749-5:2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.穩態溫度濕度偏差壽命試驗
- BS EN IEC 60749-5:2024 半導體器件 機械和氣候試驗方法穩態溫度濕度偏置壽命試驗
- BS IEC 60747-5-4:2006 半導體器件.分立器件.光電器件.半導體激光器
- BS IEC 60747-14-2:2001 分立半導體器件和集成電路.半導體器件.半導體傳感器.霍爾元件
- BS EN 62418:2010 半導體器件.金屬化應力空隙試驗
- BS EN IEC 60747-15:2024 半導體器件 分立器件 隔離式功率半導體器件
- BS EN 62415:2010 半導體器件.恒定電流電遷移試驗
- BS 3839:1965 電子管、半導體器件用無氧高導電銅
- BS IEC 60747-14-2:2000 分立半導體器件和集成電路.半導體器件.半導體傳感器.霍爾元件
- BS EN 60749-29:2004 半導體器件.機械和氣候試驗方法.閉鎖試驗
- BS EN 60749-29:2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.閉鎖試驗
- BS IEC 60747-14-3:2001 分立半導體器件和集成電路 半導體器件 半導體傳感器 壓力傳感器
- 12/30263960 DC BS EN 60749-42 半導體器件 機械和氣候試驗方法 溫度濕度存儲
- BS EN 60747-15:2004 半導體分立器件.絕緣的功率半導體器件
- BS EN 60749-4:2002 半導體器件.機械和氣候試驗方法.濕熱、穩態態、高加速應力試驗（HAST）
- BS EN 60749-1:2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.總則
- BS IEC 60747-14-1:2001 分立式半導體器件和集成電路.半導體器件.半導體傳感器.總則和分類.傳感器總則和半導體傳感器分類
- BS EN 60749-8:2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.密封
- BS EN 60749-3:2002 半導體器件.機械和氣候試驗方法.目視檢驗
- BS EN 60747-15:2012 半導體設備.分立器件.絕緣的功率半導體器件
- BS IEC 62951-5:2019 半導體器件 柔性可拉伸半導體器件 柔性材料熱特性測試方法
- BS IEC 62373-1:2020 半導體器件 金屬氧化物、半導體、場效應晶體管 (MOSFET) 的偏置溫度穩定性測試 MOSFET 的快速 BTI 測試
- BS IEC 60747-14-11:2021 半導體器件 半導體傳感器 基于聲表面波的紫外、照度和溫度測量集成傳感器的測試方法
- BS IEC 60747-14-1:2000 分立半導體器件和集成電路 半導體器件 半導體傳感器 概述和分類 半導體傳感器的傳感器概述和分類
- BS EN 60749-15:2011 半導體器件 機械和氣候試驗方法 通孔安裝設備的耐釬焊溫度
- BS EN 60749-15:2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.通孔安裝設備的耐釬焊溫度
- BS EN IEC 63364-1:2022 半導體器件 物聯網系統用半導體器件 聲音變化檢測的測試方法
- BS IEC 60747-14-1:2010 半導體器件.半導體傳感器.傳感器用一般規范
- BS IEC 62951-4:2019 半導體器件 柔性和可拉伸半導體器件 柔性半導體器件基材上柔性導電薄膜的疲勞評估
- BS IEC 62951-6:2019 半導體器件 柔性和可拉伸半導體器件 柔性導電薄膜方塊電阻的測試方法
- BS IEC 62951-7:2019 半導體器件 柔性和可拉伸半導體器件 表征柔性有機半導體薄膜封裝阻隔性能的測試方法
- BS EN 60749-44:2016 半導體器件. 機械和氣候試驗方法. 半導體設備的中子束照射單粒子效應(SEE)試驗方法
- BS IEC 60747-1:2006 半導體器件 通用
- BS PD IEC/TR 63133:2017 半導體器件 基于掃描的半導體器件老化水平估計
- PD IEC/TR 63133:2017 半導體器件 基于掃描的半導體器件老化水平估計
- BS EN IEC 60749-15:2020 半導體器件 機械和氣候測試方法 通孔安裝器件的耐焊接溫度
- BS EN 60749-15:2010 半導體器件.機械和氣候試驗方法.穿孔安裝設備的耐焊接溫度性
法國標準化協會，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- NF C96-022-6*NF EN 60749-6:2017 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第6部分：高溫儲存
- NF C96-022-23*NF EN 60749-23:2004 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第23部分:高溫操作壽命
- NF C96-022-23/A1*NF EN 60749-23/A1:2012 半導體器件 - 機械和氣候試驗方法 - 第23部分: 高溫工作壽命.
- NF C96-013-6-16*NF EN 60191-6-16:2013 半導體器件的機械標準化.第6-16部分:半導體試驗與BGA、LGA、FBGA和FLGA用高溫加速老化插座試驗用術語表
- NF EN 60749-6:2017 半導體器件 - 機械和氣候測試方法 - 第 6 部分：高溫存儲
- NF C96-022-25*NF EN 60749-25:2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第25部分:溫度循環
- NF C80-203*NF EN 62417:2010 半導體器件.金屬氧化物半導體場效應管(MOSFETs)移動離子試驗
- NF C80-201*NF EN 62415:2010 半導體器件.恒定電流電遷移試驗.
- NF C80-202*NF EN 62416:2010 半導體器件 MOS晶體管熱載流子的試驗
- NF C80-204*NF EN 62418:2011 半導體器件 金屬化應力空隙試驗
- NF EN 60749-23:2004 半導體器件 - 機械和氣候測試方法 - 第 23 部分：高溫下的工作壽命
- NF EN 60749-23/A1:2012 半導體器件 - 機械和氣候測試方法 - 第 23 部分：高溫下的工作壽命
- NF C96-022-42*NF EN 60749-42:2015 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第42部分：溫度濕度存儲
- NF EN 60747-15:2013 半導體器件 - 分立器件 - 第 15 部分：隔離半導體功率器件
- NF C96-022-5*NF EN 60749-5:2017 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第5部分：穩態溫度濕度偏置壽命試驗
- NF C96-022-5:2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第5部分:穩態溫度濕度偏差壽命試驗
- NF C96-022-6:2002 半導體裝置.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存
- NF EN IEC 60747-15:2024 半導體器件 第15部分:分立器件 隔離功率半導體器件
- NF C96-022-5*NF EN IEC 60749-5:2024 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第5部分:穩態溫度濕度偏置壽命試驗
- NF C96-015:2005 半導體分立器件.第15部分:絕緣電力半導體器件
- NF C96-015*NF EN 60747-15:2013 半導體器件 分立器件 第15部分：孤立的電力半導體器件
- NF EN 60749-4:2017 半導體器件機械和氣候試驗方法第4部分：連續高加速濕熱應力試驗（HAST）
- NF EN 60749-11:2002 半導體器件 - 機械和氣候試驗方法 - 第 11 部分：快速溫度變化 - 兩浴法
- NF EN 62415:2010 半導體器件 – 恒流電遷移測試
丹麥標準化協會，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- DANSK DS/EN 60749-6:2002 半導體器件 – 機械和氣候試驗方法 – 第6部分：高溫儲存
- DS/EN 60749-6:2003 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第6部分：高溫儲存
- DS/EN 60749-6/Corr.1:2004 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第6部分：高溫儲存
- DS/EN 60749-23/A1:2011 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第23部分：高溫工作壽命
- DS/EN 60749-23:2004 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第23部分：高溫工作壽命
- DANSK DS/EN 60749-23:2004 半導體器件 機械和氣候測試方法 第23部分：高溫工作壽命
- DANSK DS/EN 60749-23/A1:2004 半導體器件 機械和氣候測試方法 第23部分：高溫工作壽命
- DANSK DS/EN 60749-25:2004 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第25部分：溫度循環
- DS/EN 60749-38:2008 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第38部分：帶存儲器的半導體器件的軟錯誤測試方法
- DS/EN 60749-15:2011 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第15部分：通孔安裝器件的耐焊接溫度
- DANSK DS/EN 60747-15:2012 半導體器件 分立器件 第15部分：隔離功率半導體器件
- DS/EN 60747-15:2012 半導體器件 分立器件 第15部分：隔離功率半導體器件
- DS/EN 60749-5:2003 半導體器件機械和氣候試驗方法第5部分：穩態溫度濕度偏置壽命試驗
- DS/EN 60749-15/AC:2011 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第15部分：通孔安裝器件的耐焊接溫度
- DANSK DS/EN IEC 60749-5:2024 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第5部分：穩態溫度濕度偏置壽命試驗
- DS/EN 60749-11:2003 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第11部分：溫度快速變化 雙流體浴法
- DS/EN 60749-11/Corr.2:2004 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第11部分：溫度快速變化 雙流體浴法
- DS/EN 60749-11/Corr.1:2003 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第11部分：溫度快速變化 雙流體浴法
- DS/EN 62047-3:2007 半導體器件-微機電器件-第3部分：拉伸試驗用薄膜標準試件
意大利電工委員會，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- CEI EN 60749-6:2017 半導體器件機械和氣候試驗方法 第6部分：高溫儲存
- CEI EN 60749-23/A1:2006 半導體器件 機械和氣候測試方法 第23部分：高溫工作壽命
- CEI EN 60749-23:2006 半導體器件 機械和氣候測試方法 第23部分：高溫工作壽命
- CEI EN 60749-25:2004 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第25部分：溫度循環
- CEI EN 60749-42:2016 半導體器件機械和氣候試驗方法 第42部分：溫度和濕度儲存
- CEI EN IEC 60747-15:2025 半導體器件 第15部分：分立器件 隔離功率半導體器件
- CEI EN 60749-5:2017 半導體器件機械和氣候試驗方法 第5部分：穩態溫度濕度偏置壽命試驗
- CEI EN 60747-15:2012 半導體器件 分立器件 第15部分：隔離功率半導體器件
- CEI EN IEC 60749-5:2024 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第5部分:穩態溫度濕度偏置壽命試驗
- CEI EN 62415:2011 半導體器件恒流電遷移測試
瑞典標準研究所，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- SS-EN 60749-6:2017 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第6部分:高溫儲存
- SS-EN 62415:2011 半導體器件恒流電遷移試驗
- SS-EN 62418:2011 半導體器件 金屬化應力空洞試驗
- SS-EN IEC 63364-1:2023 半導體器件 物聯網系統的半導體器件 第1部分：聲音變化檢測試驗方法
- SS-EN 60749-38:2009 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第38部分:帶存儲器的半導體器件的軟錯誤測試方法
- SS-EN IEC 60749-5:2024 RLV:2024 半導體器件機械和氣候試驗方法 第5部分：穩態溫濕度偏置壽命試驗
- SS-EN 60749-42:2015 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第42部分：溫度和濕度儲存
- SS-EN 60749-5:2017 半導體器件機械和氣候試驗方法 第5部分：穩態溫濕度偏置壽命試驗
- SS-EN 60749-44:2017 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第44部分:半導體器件的中子束輻照單粒子效應(SEE)試驗方法
- SS-EN IEC 60749-15:2021 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第15部分：通孔安裝器件的耐焊接溫度
- SS-EN 60747-15:2012 半導體器件 分立器件 第15部分：隔離功率半導體器件
- SS-EN IEC 60749-5:2024 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第5部分：穩態溫度濕度偏差壽命試驗
- SS-EN 60749-4:2017 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第4部分:濕熱、穩態、高加速應力試驗(HAST)
- SS-EN 62047-3:2007 半導體器件 微機電器件 第3部分:拉伸試驗用薄膜標準試件
西班牙標準化協會，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- UNE-EN 60749-6:2003 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第6部分：高溫儲存
- UNE-EN 60749-23:2005 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第23部分：高溫工作壽命
- UNE-EN 60749-23:2005/A1:2011 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第23部分：高溫工作壽命
- UNE-EN 60749-6:2017 半導體器件 機械和氣候測試方法 第6部分：高溫儲存
- UNE-EN 60749-25:2004 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第25部分：溫度循環
- UNE-EN 60747-15:2012 半導體器件 分立器件 第15部分：隔離功率半導體器件
- UNE-EN 60749-15:2011 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第15部分：通孔安裝器件的耐焊接溫度
- UNE-EN 60749-5:2017 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第5部分：恒定溫度濕度偏置壽命試驗
- UNE-EN 60749-15:2003 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第15部分:通孔安裝器件的耐焊接溫度
- UNE-EN 62415:2010 半導體器件-恒流電遷移測試
- UNE-EN 60749-11:2003 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第11部分：溫度的快速變化 雙流體浴法
德國標準化學會，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- DIN EN 60749-6:2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫儲存
- DIN EN 60749-6:2017-11 半導體器件機械和氣候測試方法第6部分：高溫儲存
- DIN EN 60749-23:2004 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第23部分：高溫工作壽命 (IEC 60749-23:2004)
- DIN IEC 60747-14-5 E:2008-03 草案 半導體器件 第14-5部分：半導體傳感器 PN 結半導體溫度傳感器（IEC 47E/353/CD:2007）
- DIN IEC 60747-14-5 E:2008 半導體器件 第14-5部分：半導體傳感器 PN 結半導體溫度傳感器 (IEC 47E/353/CD:2007) 草案
- DIN EN 60749-23:2011-07 半導體器件 機械和氣候測試方法 第23部分：高溫工作壽命
- DIN EN 60749-38:2008 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第38部分:帶存儲器的半導體器件用軟錯誤試驗法
- DIN EN 60749-6 E:2016-09 半導體器件機械和氣候測試方法第6部分：高溫儲存（草案）
- DIN EN 60749-25:2004 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第25部分:溫度循環
- DIN EN IEC 60749-5:2024-09*VDE 0884-749-5:2024-09 半導體器件 機械和氣候試驗方法
- DIN EN IEC 60749-28:2024-12*VDE 0884-749-28:2024-12 半導體器件 機械和氣候試驗方法
- DIN EN IEC 60749-17:2019-11*VDE 0884-749-17:2019-11 半導體器件 機械和氣候試驗方法
- DIN EN IEC 60749-26:2018-10*VDE 0884-749-26:2018-10 半導體器件 機械和氣候試驗方法
- DIN EN IEC 62969-4:2019-03*VDE 0884-69-4:2019-03 半導體器件 汽車半導體接口
- DIN EN IEC 62969-2:2018-09*VDE 0884-69-2:2018-09 半導體器件 汽車半導體接口
- DIN EN IEC 62969-3:2018-12*VDE 0884-69-3:2018-12 半導體器件 汽車半導體接口
- DIN EN 60749-23/A1 E:2009-09 草案 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第23部分：高溫工作壽命 (IEC 47/2017/CDV:2009)
- DIN VDE V 0884-11:2017-01*VDE V 0884-11:2017-01 半導體器件
- DIN EN 60749-6:2017 半導體器件機械和氣候測試方法 第6部分：高溫儲存（IEC 60749-6:2017）
- DIN EN IEC 62969-1:2018-08*VDE 0884-69-1:2018-08 半導體器件 汽車半導體接口
- DIN IEC 60747-11:1992 半導體器件.第11部分:半導體器件分規范
- DIN EN IEC 60747-17:2021-10*VDE 0884-17:2021-10 半導體器件
- DIN EN IEC 60747-5-5:2021-10*VDE 0884-5:2021-10 半導體器件
- DIN EN 62779-2:2017-01*VDE 0884-79-2:2017-01 半導體器件 人體通信半導體接口
- DIN EN 62779-1:2017-01*VDE 0884-79-1:2017-01 半導體器件 人體通信半導體接口
- DIN EN 62779-3:2017-03*VDE 0884-79-3:2017-03 半導體器件 人體通信半導體接口
- DIN IEC 747-11:1992 半導體器件 單獨半導體元件框架規范
- DIN EN 60747-15:2012-08 半導體器件-分立器件-第15部分：隔離功率半導體器件
- DIN EN 62951-1 E:2015-06 半導體器件 柔性及可拉伸半導體器件 第1部分：柔性基材上導電薄膜的彎曲試驗方法
- DIN EN 60749-5:2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第5部分:穩態溫度濕度偏差壽命試驗
- DIN EN 60749-4:2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第4部分:濕熱、穩態、高加速應力試驗
- DIN EN 60749-4:2017-11 半導體器件機械和氣候試驗方法第4部分：濕熱、穩態、高加速應力試驗
- DIN EN 60749-6 E:2016 半導體器件 機械和氣候測試方法 第6部分：高溫存儲（IEC 47/2297/CDV:2016） 草案
- DIN EN 62047-3:2007-02 半導體器件-微機電器件-第3部分：拉伸試驗用薄膜標準試件
- DIN EN 62415:2010-12 半導體器件-恒流電遷移測試
韓國科技標準局，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- KS C IEC 60749-6:2004 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存
- KS C IEC 60749-23-2021 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第23部分:高溫工作壽命
- KS C IEC 60749-23:2021 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第23部分:高溫工作壽命
- KS C IEC 60749-23:2006 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第23部分:高溫操作壽命
- KS C IEC 60749-23-2006(2016) 半導體器件機械和氣候試驗方法第23部分:高溫工作壽命
- KS C IEC 60749-6-2020 半導體器件 - 機械和氣候測試方法 - 第6部分:高溫儲存
- KS C IEC 60749-6:2020 半導體器件 - 機械和氣候測試方法 - 第6部分:高溫儲存
- KS C IEC 60749-2004(2020) 半導體器件機械和氣候試驗方法
- KS C IEC 60749:2004 半導體器件.機械和氣候試驗方法
- KS C IEC 60749-42-2021 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第42部分：溫度和濕度儲存
- KS C IEC 60749-42-2016(2021) 半導體器件機械和氣候試驗方法第42部分:溫度和濕度存儲
- KS C IEC 60749-42:2016 半導體器件《機械和氣候試驗方法》第42部分：溫度和濕度存儲
- KS C IEC 62951-1:2022 半導體器件.柔性和可拉伸半導體器件.第1部分:柔性襯底上導電薄膜的彎曲試驗方法
- KS C IEC 62951-1-2022 半導體器件.柔性和可拉伸半導體器件.第1部分:柔性襯底上導電薄膜的彎曲試驗方法
- KS C IEC 60749-42-2016 半導體器件 - 機械和氣候試驗方法 - 第42部分:溫度和濕度存儲
- KS C IEC 60749-4:2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第4部分:濕熱、穩態、高加速應力試驗
國際電工委員會，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- IEC 60749-6:2002 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存
- IEC 60749-6:2002/COR1:2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存
- IEC 60749-6:2017 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存
- IEC 60749-23:2004/AMD1:2011 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第23部分:高溫工作壽命
- IEC 60749-23:2004+AMD1:2011 CSV 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第23部分:高溫工作壽命
- IEC 60749-23:2004 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第23部分:高溫操作壽命
- IEC 60747-14-5:2010 半導體器件.第14-5部分:半導體傳感器.PN-結點半導體溫度傳感器
- IEC 60749-23:2011 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第23部分:高溫下的工作壽命
- IEC 62373-1:2020 半導體器件.金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的偏壓溫度穩定性試驗.第1部分:MOSFET的快速BTI試驗
- IEC 60749-38:2008 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第38部分:帶存儲器的半導體器件用軟錯誤試驗法
- IEC 60749-25:2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第25部分:溫度循環
- IEC 62417:2010 半導體器件.金屬氧化物半導體場效應管(MOSFETs)移動離子試驗
- IEC 60749:1996 半導體器件 機械和氣候試驗方法
- IEC 60749:2002 半導體器件 機械和氣候試驗方法
- IEC 62418:2010 半導體器件.金屬化應力空隙試驗
- IEC 60749:1984 半導體器件.機械和氣候試驗方法
- IEC 62415:2010 半導體器件.恒定電流電遷移試驗
- IEC 62047-29:2017 半導體器件 - 微機電器件 - 第29部分:室溫下獨立導電薄膜的機電弛豫試驗方法
- IEC 63364-1:2022 半導體器件物聯網系統用半導體器件第1部分：聲音變化檢測的試驗方法
- IEC 62951-6:2019 半導體器件.柔性和可拉伸的半導體器件.第6部分:柔性導電薄膜片電阻的試驗方法
- IEC 62951-5:2019 半導體器件.柔性和可伸展半導體器件.第5部分:柔性材料熱特性的試驗方法
- IEC 63275-1:2022 半導體器件碳化硅分立金屬氧化物半導體場效應晶體管可靠性試驗方法第1部分:偏置溫度不穩定性試驗方法
- IEC 60747-15:2024 RLV 半導體器件 第15部分：分立器件 隔離功率半導體器件
- IEC 60747-14-4:2011 半導體器件.分立器件.第14-4部分:半導體感應器
- IEC 60749-42:2014 半導體器件. 機械和氣候試驗方法. 第42部分: 溫度和濕度存儲
- IEC 60749-15:2020 RLV 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第15部分:通孔安裝器件的耐焊接溫度
- IEC 62951-1:2017 半導體器件. 柔性和可伸縮半導體器件. 第1部分: 柔性基板上導電薄膜的拉伸試驗方法
- IEC 60747-5-4:2024 半導體器件 第5-4部分：光電子器件 半導體激光器
- IEC 60747-15:2010 半導體器件.分立器件.第15部分:單獨的電力半導體器件
- IEC 60747-5-4:2022+AMD1:2024 CSV 半導體器件 第5-4部分：光電子器件 半導體激光器
- IEC 60749-15:2020 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第15部分:通孔安裝器件的耐焊接溫度
- IEC 60747-5-4:2006 半導體器件.分立器件.第5-4部分:光電器件.半導體激光器
- IEC 60747-5-4:2022 半導體器件第5-4部分:光電子器件半導體激光器
- IEC 60749-34-1:2025 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第34-1部分: 功率半導體模塊的功率循環試驗
- IEC 60747-15:2024 半導體器件 第15部分：分立器件 隔離功率半導體器件
- IEC 60749-4:2002 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第4部分:濕熱,穩態,高加速應力試驗
- IEC 60749-4:2017 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第4部分:濕熱,穩態,高加速應力試驗
- IEC 60747-14-2:2000 半導體器件 第14-2部分:半導體元件 霍爾元件
- IEC 60749/AMD1:2000 半導體器件 機械和氣候試驗方法 修改1
- IEC 60749-5:2017 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第5部分:穩態溫度濕度偏差耐久性試驗
- IEC 60749-5:2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第5部分:穩態溫度濕度偏差耐久性試驗
- IEC 60749/AMD2:2001 半導體器件 機械和氣候試驗方法 修改2
- IEC 62830-5:2021 半導體器件.能量收集和產生用半導體器件.第5部分:測量柔性熱電器件產生功率的試驗方法
- IEC 60747-15:2003 半導體分立器件.第15部分：孤立的電力半導體器件
歐洲電工標準化委員會，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- EN 60749-6:2017 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存
- EN 60749-23:2004 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第23部分:高溫操作壽命 IEC 60749-23-2004
- EN 60749-38:2008 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第38部分:帶存儲器的半導體器件用軟錯誤試驗法
- EN 62416:2010 半導體器件.MOS晶體管的熱載子試驗
- EN 60749-42:2014 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第42部分：溫度和濕度存儲
- EN IEC 60749-15:2020 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第15部分：通孔安裝器件的耐焊接溫度
- EN 60749-15:2010 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第15部分：通孔安裝器件的耐焊接溫度
- EN IEC 60747-15:2024 半導體器件 第15部分：分立器件 隔離式功率半導體器件
- EN 60747-15:2012 半導體器件.分立器件.第15部分:獨立的電力半導體器件
- EN 60749-25:2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第25部分:溫度循環 IEC 60749-25-2003
- EN 60749-4:2017 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第4部分:穩態溫度濕度偏差耐久性試驗
- EN 60749-5:2017 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第5部分:穩態溫度濕度偏差耐久性試驗
- EN 62047-3:2006 半導體器件.微電機器件.第3部分:拉伸試驗用薄膜標準試驗片
未注明發布機構，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- DLA MIL-STD-750F w/CHANGE 3-2021 半導體器件試驗方法
國家質檢總局，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- GB/T 4937.23-2023 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第23部分：高溫工作壽命
- GB/T 45716-2025 半導體器件 金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFETs）的偏置溫度不穩定性試驗
- GB/T 45722-2025 半導體器件 恒流電遷移試驗
- GB/T 45719-2025 半導體器件 金屬氧化物半導體（MOS） 晶體管的熱載流子試驗
- GB/T 4937.42-2023 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第42部分：溫濕度貯存
- GB/T 4937-1995 半導體器件機械和氣候試驗方法
- GB 15651.4-2017 半導體器件 分立器件 第5-4部分:光電子器件 半導體激光器
- GB/T 15651.4-2017 半導體器件 分立器件 第5-4部分:光電子器件 半導體激光器
- GB/T 13422-2013 半導體變流器 電氣試驗方法
中國團體標準，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- T/IAWBS 009-2019 功率半導體器件穩態濕熱高壓偏置試驗
- T/CIE 144-2022 半導體器件可靠性強化試驗方法
- T/QGCML 3956-2024 半導體實驗室恒濕溫試驗管理平臺
- T/ZZB Q063-2022 半導體器件間歇工作壽命試驗設備
- T/ZAQ 10113-2022 半導體器件間歇工作壽命試驗設備
- T/CASAS 044-2024 碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管(SiC MOSFET)高壓高溫高濕反偏試驗方法
- T/CVIA 134-2024 半導體激光器器件測試方法
- T/CASAS 043-2024 碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）高溫反偏試驗方法
- T/CASAS 042-2024 碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）高溫柵偏試驗方法
國家軍用標準-總裝備部，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- GJB 128B-2021 半導體分立器件試驗方法
- GJB 128A-1997 半導體分立器件試驗方法
- GJB 128-1986 半導體分立器件試驗方法
- GJB 762.1-1989 半導體器件輻射加固試驗方法 中子輻照試驗
- GJB 762.3-1989 半導體器件輻射加固試驗方法 γ瞬時輻照試驗
- GJB 7678-2012 半導體器件 10KeV X 射線輻照加固試驗方法
- GJB 762.2-1989 半導體器件輻射加固試驗方法 γ總劑量輻照試驗
- GJB/Z 41.3-1993 軍用半導體分立器件系列型譜 半導體光電子器件
海灣阿拉伯國家合作委員會標準組織，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- GSO IEC 60749-6:2014 半導體儀器機械和氣候試驗方法 第6部分：高溫儲存
- GSO IEC 60749-23:2014 半導體儀器機械和氣候試驗方法 第23部分：高溫工作壽命
- GSO IEC 60747-14-5:2015 半導體儀器 第14-5部分：半導體傳感器 PN 結半導體溫度傳感器
- GSO IEC 60747-14-2:2014 半導體器件 第14-2部分：半導體傳感器 霍爾元件
- GSO IEC 62047-3:2014 半導體器件 微機電器件 第3部分：拉伸試驗用薄膜標準試件
臺灣地方標準，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- CNS 5547-1988 單件半導體裝置之環境檢驗法及耐久性檢驗法–高溫保存試驗
- CNS 6126-1988 單件半導體裝置之環境檢驗法及耐久性檢驗法–閘流體之高溫通電試驗
- CNS 5545-1988 單件半導體裝置之環境檢驗法及耐久性檢驗法–晶體管高溫逆向偏壓試驗
- CNS 5546-1988 單件半導體裝置之環境檢驗法及耐久性檢驗法–場效晶體管高溫逆向偏壓試驗
- CNS 6125-1988 單件半導體裝置之環境檢驗法及耐久性檢驗法–整流二極管之高溫通電試驗
俄羅斯標準局，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- GOST 28578-1990 半導體器件.機械及氣候試驗
- GOST 24461-1980 電力半導體器件.測量和試驗方法
美國國防后勤局，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- DLA MIL-STD-750 E-2006 半導體器件的試驗方法標準
- DLA MIL-S-19500/230 C VALID NOTICE 4-2011 半導體器件，二極管，硅，高電導型 JAN 1N3207
- DLA DSCC-DWG-04030-2005 2N5926高功率型,硅NPN晶體管半導體器件
- DLA DSCC-DWG-04029-2005 2N5927高功率型,硅NPN晶體管半導體器件
- DLA MIL-STD-750 F CHANGE 1-2013 半導體器件的測試方法
- DLA MIL-STD-750 F-2012 半導體器件測試方法標準
- DLA DESC-DWG-84002-1984 半導體器件散熱器
British Standard / International Electrotechnical Commission，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- BS IEC 60747-5-4:2022+A1:2024 半導體器件 電子器件 半導體激光器
CZ-CSN，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- CSN 35 1609-1983 電力半導體器件．散熱器．試驗方法
- CSN 35 8701-1975 半導體和半導體器件的術語
PH-BPS，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- PNS IEC 62373-1:2021 半導體器件.金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的偏壓溫度穩定性試驗.第1部分：MOSFET的快速BTI試驗
- PNS IEC 60749-42:2021 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第42部分：溫度和濕度存儲
- PNS IEC 60749-44:2021 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第44部分：半導體器件的中子束輻照單粒子效應（見）試驗方法
- PNS IEC 62830-4:2021 半導體器件.能量收集和產生用半導體器件.第4部分：柔性壓電能量收集器件的試驗和評估方法
巴林國家計量局，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- BH GSO IEC 60749-23:2016 半導體器件 機械和氣候測試方法 第23部分：高溫工作壽命
- BH GSO IEC 60747-15:2016 半導體器件 分立器件 第15部分：隔離功率半導體器件
- BH GSO IEC 60747-5-4:2016 半導體器件 分立器件 第5-4部分：光電器件 半導體激光器
- BH GSO IEC 60747-14-2:2016 半導體器件 第14-2部分：半導體傳感器 霍爾元件
- BH GSO IEC 60747-14-4:2016 半導體器件 分立器件 第14-4部分：半導體加速度計
- BH GSO IEC 62047-3:2016 半導體器件 微機電器件 第3部分：拉伸試驗用薄膜標準試件
阿曼規格和計量局，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- OS GSO IEC 60749-23:2014 半導體器件 機械和氣候測試方法 第23部分：高溫工作壽命
- OS GSO IEC 60747-15:2014 半導體器件 分立器件 第15部分：隔離功率半導體器件
- OS GSO IEC 60747-5-4:2014 半導體器件 分立器件 第5-4部分：光電器件 半導體激光器
- OS GSO IEC 60747-14-4:2014 半導體器件 分立器件 第14-4部分：半導體加速度計
行業標準-航天，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- QJ 1511-1988 半導體器件驗收規范
- QJ 1511A-1998 半導體分立器件驗收規范
- QJ 10004-2008 宇航用半導體器件總劑量輻射試驗方法
行業標準-電子，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- SJ/Z 9016-1987 半導體器件 機械和氣候試驗方法
印度標準局，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- IS 12641-2004 半導體器件 機械和氣候試驗方法
立陶宛標準局，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- LST EN 60749-6-2003 半導體器件 機械和氣候測試方法 第6部分：高溫儲存（IEC 60749-6:2002）
- LST EN 60749-23-2004 半導體器件 機械和氣候測試方法 第23部分：高溫工作壽命（IEC 60749-23:2004）
- LST EN 60749-23-2004/A1-2011 半導體器件 機械和氣候測試方法 第23部分：高溫工作壽命（IEC 60749-23:2004/A1:2011）
河北省標準，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- DB13/T 6033-2024 半導體器件低濃度氫效應試驗方法
美國國防部標準化文件（含MIL標準），關于半導體器件 高溫試驗的標準
- MIL MIL-S-19500/340-1965 半導體器件 晶體管 PNP 鍺 高功率型 2N2079A
- MIL-STD-750-2A 機械測試方法半導體器件
- MIL MIL-DTL-19491J-2014 半導體器件、封裝
IN-BIS，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- IS 7412-1974 半導體器件的壽命測試
匈牙利標準化委員會，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- MNOSZ 700-10.lap-1955 意法半導體是非常高溫蒸餾
(美國)固態技術協會,隸屬EIA，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- JEDEC JEP140-2002 半導體珠狀溫度測試
TH-TISI，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- TIS 1863-2009 半導體器件.分立器件
CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- EN 60747-15:2004 半導體器件.分立器件.第15部分:獨立的電力半導體器件
- EN 62415:2010 半導體器件-恒流電遷移測試
JP-JEITA，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- JEITA EDR-4704A-2007 半導體器件用加速壽命試驗的應用指南
澳大利亞標準協會，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- AS C379.1:1970 半導體器件的機械標準化 半導體器件圖紙的繪制
行業標準-機械，關于半導體器件 高溫試驗的標準
- JB/T 7786-1995 電力半導體器件檢驗抽樣方法
