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  • GB/T 1557-1989
    硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

    The method of determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption


    GB/T 1557-1989 發布歷史

    本標準規定了用紅外吸收測定硅晶體中間隙氧含量的方法。 本標準適用于室 溫電阻率大于0.1Ω·cm的硅晶體中氧含量的測量。測量范圍為:氧的濃度從3.5×15at·cm至最大固溶度。

    GB/T 1557-1989由國家質檢總局 CN-GB 發布于 1989-03-31,并于 1990-02-01 實施。

    GB/T 1557-1989 在中國標準分類中歸屬于: H21 金屬物理性能試驗方法,在國際標準分類中歸屬于: 77.040.30 金屬材料化學分析。

    GB/T 1557-1989的歷代版本如下:

    • 1989年03月31日 GB/T 1557-1989 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
    • 2006年07月18日 GB/T 1557-2006 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
    • 2018年09月17日 GB/T 1557-2018 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

    GB/T 1557-1989 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法 于 2006-07-18 變更為 GB/T 1557-2006 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法。

     

     

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    標準號
    GB/T 1557-1989
    發布日期
    1989年03月31日
    實施日期
    1990年02月01日
    廢止日期
    中國標準分類號
    H21
    國際標準分類號
    77.040.30
    發布單位
    CN-GB
    代替標準
    GB/T 1557-2006
    適用范圍
    本標準規定了用紅外吸收測定硅晶體中間隙氧含量的方法。 本標準適用于室 溫電阻率大于0.1Ω·cm的硅晶體中氧含量的測量。測量范圍為:氧的濃度從3.5×1515at·cm-3至最大固溶度。

    GB/T 1557-1989系列標準


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