國家市場監督管理總局、中國國家標準化管理委員會,關于硅氧硅的紅外吸收峰的標準 GB/T 1557-2018 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法 國家質檢總局,關于硅氧硅的紅外吸收峰的標準 GB/T 1557-2006 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法 GB/T 1557-1989 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法 德國標準化學會,關于硅氧硅的紅外吸收峰的標準 DIN 50438...
直拉晶體硅中摻氮可用來調控原生氧沉淀和空洞型缺陷,從而提高硅晶體的質量,已經在產業界廣泛應用,除了間隙氧、代位碳、III-V族元素檢測以外,氮的測量也是硅材料界的一個熱點課題。眾所周知,直拉單晶硅中含有較高濃度(濃度范圍1017-1018cm-3)的間隙氧(Oi),當氮摻入直拉硅單晶中時,除了以氮-氮對(N-N)形式存在以外,氮還會和氧作用形成氮氧復合體(N-O complexes)。...
依據G B/T 1558-2009和G B/T 1557-2006,紅外光譜法可以在對單晶硅中代位碳和間隙氧進行定性的同時進行定量測定,具有快速、方便、準確的優點。?關鍵詞: 紅外光譜法 ?單晶硅 ?碳氧含量 ?定量測定? · 原理利用硅中代位碳原子和間隙氧原子分別在波數607.2cm -1和1107cm -1 有特征吸收,根據吸收峰的吸收系數來確定代位碳原子濃度和間隙氧原子的濃度。????...
;聲子光譜、半導體材料帶隙,低維異質結構厚度以及電子特性研究;外延層厚度分析:同質外延,異質外延,單層,多層;紅外光電探測器器件光譜響應表征:光電流譜;紅外發光器件、激光器等電致發光器件中心波長、線寬、帶寬表征:ICL,QCL,VCSEL;工業高純晶體硅質量控制:間隙氧,代位碳,III_VI族雜質元素分析;光伏硅晶體質量控制:間隙氧,代位碳,施主,受主元素含量;切割前硅晶棒、硅錠中氧含量軸向分布分析...
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