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IEC 60747-8-3-1995
半導體器件分立器件第8部分:場效應晶體管第3節:外殼額定開關場效應晶體管空白詳細規范

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors - Section 3: Blank detail specification for case-rated field-effect transistors for switching applications

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標準號: IEC 60747-8-3-1995
發布日期: 1995年04月
實施日期
廢止日期: 無
中國標準分類號: L40;L56
國際標準分類號: 31.240
發布單位: IX-IEC
被代替標準: IEC/DIS 47(CO)1350-1993

適用范圍: The object of the quality assessment system for electronic components is to define quality assessment procedures in such a manner that electronic components released by one participating country as conforming with the requirements of an applicable specif

IEC 60747-8-3-1995系列標準

IEC 60747-1 AMD 1-2010 半導體器件.第1部分:總則 IEC 60747-1 AMD 3-1996 半導體器件分立器件和集成電路第1部分:總則修改3 IEC 60747-1 Corrigendum 1-2008 半導體裝置.第1部分:總則.技術勘誤1 IEC 60747-1 Edition 2.1-2010 半導體器件.第1部分:總則 IEC 60747-1-2010 半導體器件.第1部分:一般 IEC 60747-1-2006/AMD1-2010 修改件1.半導體器件.第1部分:總則 IEC 60747-10 AMD 1-1995 半導體器件.第10部分:分立器件和集成電路的總規范.第1次修改 IEC 60747-10 AMD 3-1996 半導體器件第10部分:分立器件和集成電路總規范修改3 IEC 60747-10-1991/AMD3-1996 修改件3.半導體器件.第10部分:分立器件和集成電路總規范 IEC 60747-10-1991/AMD3-1996 修改件3.半導體器件.第10部分:分立器件和集成電路總規范 IEC 60747-11 AMD 1-1991 半導體器件第11部分:分立器件分規范修改1 IEC 60747-11 AMD 2-1996 半導體器件第11部分:分立器件分規范修改2 IEC 60747-11-1985/AMD2-1996 修正案2——半導體器件離散設備第11部分:分段分立器件規范 IEC 60747-11-1985/AMD1-1991 修改件1——半導體器件離散設備第11部分:分段分立器件規范 IEC 60747-11-1985/AMD2-1996 修正案2——半導體器件離散設備第11部分:分段分立器件規范 IEC 60747-12-1-1995 半導體器件第12部分:光電子器件第2節:纖維光學系統和子系統用帶/不帶尾纖的光發射或紅外發射二極管空白詳細規范 IEC 60747-12-6-1997 半導體器件第12-6部分:光電子器件纖維光學系統或子系統用帶/不帶尾纖的雪崩光電二極管空白詳細規范 IEC 60747-12-2-1995 半導體器件第12部分:光電子器件第2節:纖維光學系統和子系統帶尾纖的激光二極管模塊空白詳細規范 IEC 60747-12-3-1998 半導體器件第12-3部分:光電子器件顯示用發光二極管空白詳細規范 IEC 60747-12-4-1997 半導體器件第12-4部分:光電子器件纖維光學系統或子系統用帶/不帶尾纖的PIN-FET模塊空白詳細規格 IEC 60747-12-5-1997 半導體器件第12-5部分:光電子器件纖維光學系統或子系統用帶/不帶尾纖的PIN光電二極管空白詳細規范 IEC 60747-12-6-1997 半導體器件第12-6部分:光電子器件纖維光學系統或子系統用帶/不帶尾纖的雪崩光電二極管空白詳細規范 IEC 60747-14-1-2010 半導體器件.第14-1部分:半導體傳感器.傳感器用總規范 IEC 60747-14-10-2019 半導體器件.第14-10部分:半導體傳感器.可穿戴葡萄糖傳感器的性能評估方法 IEC 60747-14-11-2021 IEC 60747-14-2-2000 半導體器件第14-2部分:半導體元件霍爾元件 IEC 60747-14-3-2009 半導體器件.第14-3部分:半導體敏感器.壓力敏感器 IEC 60747-14-4-2011 半導體器件.分立器件.第14-4部分:半導體感應器 IEC 60747-14-5-2010 半導體器件.第14-5部分:半導體傳感器.PN-結點半導體溫度傳感器 IEC 60747-15-2010 半導體器件.分立器件.第15部分:單獨的電力半導體器件 IEC 60747-16-1 AMD 1-2007 半導體器件.第16-1部分:微波集成電路.放大器.修改件1 IEC 60747-16-1 AMD 2-2017 半導體器件.第16-1部分:微波集成電路.放大器.修改件2 IEC 60747-16-1 Edition 1.1-2007 半導體器件.第16-1部分:微波集成電路.放大器 IEC 60747-16-1 Edition 1.2-2017 半導體器件. 第16-1部分: 微波集成電路. 放大器 IEC 60747-16-1-2001/AMD2-2017 修改件2.半導體器件.第16-1部分:微波集成電路.放大器 IEC 60747-16-1-2001/AMD1-2007 修改件1.半導體器件.第16-1部分:微波集成電路.放大器 IEC 60747-16-1-2001/AMD2-2017 修改件2.半導體器件.第16-1部分:微波集成電路.放大器 IEC 60747-16-10-2004 半導體器件.第16-10部分:單片型微波集成電路的技術驗收程序(TAS) IEC 60747-16-2 AMD 1-2007 半導體器件.第16-2部分:微波集成電路.頻率預定標器 IEC 60747-16-2 Edition 1.1-2008 半導體器件.第16-2部分:微波集成電路.頻率預定標器 IEC 60747-16-2-2001/AMD1-2007 修改件1.半導體器件.第16-2部分:微波集成電路.頻率預分頻器 IEC 60747-16-2-2001/AMD1-2007 修改件1.半導體器件.第16-2部分:微波集成電路.頻率預分頻器 IEC 60747-16-3 AMD 1-2009 半導體裝置.第16-3部分:微波集成電路.頻率轉換器.修改件1 IEC 60747-16-3 Edition 1.1-2010 半導體器件.第16-3部分:微波集成電路.變頻器 IEC 60747-16-3-2010 IEC 60747-16-3-2002/AMD1-2009 修改件1.半導體器件.第16-3部分:微波集成電路.變頻器 IEC 60747-16-3-2002/AMD2-2017 修改件2.半導體器件.第16-3部分:微波集成電路.變頻器 IEC 60747-16-4 AMD 1-2009 半導體裝置.第16-4部分:微波集成電路.開關.修改件1 IEC 60747-16-4 Edition 1.1-2011 半導體器件.第16-4部分:微波集成電路.開關 IEC 60747-16-4-2004/AMD2-2017 修改件2.半導體器件.第16-4部分:微波集成電路.開關 IEC 60747-16-4-2004/AMD1-2009 修改件1.半導體器件.第16-4部分:微波集成電路.開關 IEC 60747-16-4-2004/AMD2-2017 修改件2.半導體器件.第16-4部分:微波集成電路.開關 IEC 60747-16-5-2013/AMD1-2020 修改件1.半導體器件.第16-5部分:微波集成電路.振蕩器 IEC 60747-16-5-2013/AMD1-2020 修改件1.半導體器件.第16-5部分:微波集成電路.振蕩器 IEC 60747-16-6-2019 半導體器件第16-6部分:微波集成電路倍頻器 IEC 60747-17 CORR 1-2021 半導體裝置. 第17部分: 基本和加強隔離用磁性和電容性耦合器; 勘誤1 IEC 60747-17-2020 半導體器件第17部分:基本和加強絕緣用磁性和電容耦合器 IEC 60747-18-1-2019 半導體器件第18-1部分:半導體生物傳感器無透鏡CMOS光子陣列傳感器校準的試驗方法和數據分析 IEC 60747-18-2-2020 半導體器件.第18-2部分:半導體生物傳感器.無透鏡CMOS光子陣列傳感器組件的評估過程 IEC 60747-18-3-2019 半導體器件.第18-3部分:半導體生物傳感器.帶射流系統的無透鏡CMOS光子陣列傳感器組件的流體流動特性 IEC 60747-19-1-2019 半導體器件第19-1部分:智能傳感器智能傳感器控制方案 IEC 60747-2 AMD 1-1992 第1次修改 IEC 60747-2 AMD 2-1993 半導體器件.分立器件.第2部分:整流二極管.修改件2 IEC 60747-2-1-1989 半導體器件分立器件第2部分:整流二極管第1節:電流在100A以下環境和外殼額定的整流二極管(包括雪崩整流二極管)空白詳細規范 IEC 60747-2-2016 半導體器件.第2部分:分立器件.整流二極管 IEC 60747-2-2-1993 半導體器件分立器件第2部分:整流二極管第1節:電流在100A以上環境和外殼額定的整流二極管(包括雪崩整流二極管)空白詳細規范 IEC 60747-3 AMD 1-1991 半導體器件分立器件第3部分:信號二極管(包括開關二極管)及調整二極管修改1 IEC 60747-3 AMD 2-1993 半導體器件分立器件第3部分:信號二極管(包括開關二極管)及調整二極管修改2 IEC 60747-3-1-1986 半導體器件分立器件第3部分:信號二極管(包括開關二極管)及調整二極管第1節:信號二極管、開關二極管和可控雪崩二極管空白詳細規范 IEC 60747-3-2013 半導體器件.第3部分:分立器件:信號二極管、開關二極管及調整二極管 IEC 60747-3-2-1986 半導體器件分立器件第3部分:信號二極管(包括開關二極管)及調整二極管第2節:電壓調整二極管和電壓基準二極管(不包括溫度補償精密基準二極管)空白詳細規范 IEC 60747-4 AMD 1-2017 半導體裝置.分立裝置.第4部分:微波二極管和晶體管.修改件1 IEC 60747-4 AMD 2-1999 半導體器件分立器件第4部分:微波二極管和晶體管修改2 IEC 60747-4 Edition 1.2-2001 半導體器件.分立器件.第4部分:微波器件 IEC 60747-4-1-2000 半導體器件分立器件第4-1部分:微波二極管和晶體管微波場效應晶體管空白詳細規范 IEC 60747-4-2007/AMD1-2017 修改件1.半導體器件.分立器件.第4部分:微波二極管和晶體管 IEC 60747-4-2-2000 半導體器件分立器件第4-2部分:微波二極管和晶體管集成電路微波放大器空白詳細規范 IEC 60747-4-2007/AMD1-2017 修改件1.半導體器件.分立器件.第4部分:微波二極管和晶體管 IEC 60747-5-1 AMD 1-2001 半導體分立器件和集成電路第5-1部分:光電子器件總規范修改1 IEC 60747-5-1 AMD 2-2002 半導體分立器件和集成電路.第5-1部分:光電子器件.總則 IEC 60747-5-1 Edition 1.2-2002 半導體分立器件和集成電路.第5-1部分:光電子器件.總則 IEC 60747-5-1-1997/AMD2-2002 修改件2.分立半導體器件和集成電路.第5-1部分:光電子器件.總則 IEC 60747-5-1-1997/AMD1-2001 修改件1.分立半導體器件和集成電路.第5-1部分:光電子器件.總則 IEC 60747-5-1-1997/AMD2-2002 修改件2.分立半導體器件和集成電路.第5-1部分:光電子器件.總則 IEC 60747-5-10-2019 半導體器件第5-10部分:光電子器件發光二極管基于室溫基準點的內部量子效率試驗方法 IEC 60747-5-11-2019 半導體器件第5-11部分:光電子器件發光二極管發光二極管輻射電流和非輻射電流的試驗方法 IEC 60747-5-13-2021 IEC 60747-5-14-2022 半導體器件第5-14部分:光電子器件發光二極管基于熱反射法的表面溫度試驗方法 IEC 60747-5-15-2022 半導體器件第5-15部分:光電子器件發光二極管基于電反射光譜法的平帶電壓試驗方法 IEC 60747-5-9-2019 半導體器件第5-9部分:光電子器件發光二極管基于溫度依賴性電致發光的內部量子效率試驗方法 IEC 60747-5-2 AMD 1-2002 半導體分立器件和集成電路.第5-2部分:光電子器件.基礎額定值及特性 IEC 60747-5-2 Edition 1.1-2009 分立半導體器件及集成電路.第5-2部分:光電元件.基本額定值及特性 IEC 60747-5-2-1997/AMD1-2002 修改件1.分立半導體器件和集成電路.第5-2部分:光電子器件.基本額定值和特性 IEC 60747-5-2-1997/AMD1-2002 修改件1.分立半導體器件和集成電路.第5-2部分:光電子器件.基本額定值和特性 IEC 60747-5-3 AMD 1-2002 半導體分立器件和集成電路.第5-3部分:光電子器件.測量方法 IEC 60747-5-3 Edition 1.1-2009 分立半導體器件及集成電路.第5-3部分:光電元件.測量方法 IEC 60747-5-3-1997/AMD1-2002 修改件1.分立半導體器件和集成電路.第5-3部分:光電子器件.測量方法 IEC 60747-5-3-1997/AMD1-2002 修改件1.分立半導體器件和集成電路.第5-3部分:光電子器件.測量方法 IEC 60747-5-4-2022 半導體器件第5-4部分:光電子器件半導體激光器 IEC 60747-5-5 AMD 1-2013 半導體器件.分立器件.第5-5部分:光電器件.光電耦合器 IEC 60747-5-5 Edition 1.1-2013 半導體器件.分立器件.第5-5部分:光電器件.光電耦合器 IEC 60747-5-5-2020 半導體器件第5-5部分:光電子器件光電耦合器 IEC 60747-5-5-2007/AMD1-2013 修改件1.半導體器件.分立器件.第5-5部分:光電子器件.光電耦合器 IEC 60747-5-6-2021 半導體設備. 第5-6部分: 光電設備. 發光二極管 IEC 60747-5-7-2016 半導體設備. 第5-7部分: 光電設備. 光電二極管和光電晶體管 IEC 60747-5-8-2019 半導體器件第5-8部分:光電子器件發光二極管發光二極管光電效率試驗方法 IEC 60747-5-9-2019 半導體器件第5-9部分:光電子器件發光二極管基于溫度依賴性電致發光的內部量子效率試驗方法 IEC 60747-6 AMD 1-1991 第1次修改 IEC 60747-6 AMD 2-1994 第2次修改 IEC 60747-6-1-1989 半導體器件分立器件第6部分:晶閘管第1節:電流在100A以下的環境和外殼額定的反向阻斷三極閘流晶體管空白詳細規范 IEC 60747-6-3-1993 半導體器件分立器件第6部分:晶閘管第3節:電流在100A以上的環境和外殼額定的反向阻斷三極閘流晶體管空白詳細規范 IEC 60747-6-2-1991 半導體器件分立器件第6部分:晶閘管第2節:電流在100A以下的環境或外殼額定的雙向三極閘流晶體管空白詳細規范 IEC 60747-6-3-1993 半導體器件分立器件第6部分:晶閘管第3節:電流在100A以上的環境和外殼額定的反向阻斷三極閘流晶體管空白詳細規范 IEC 60747-7 AMD 1-1991 半導體分立器件和集成電路.第7部分:雙極晶體管.修改件1 IEC 60747-7 AMD 2-1994 半導體分立器件和集成電路.第7部分:雙極性晶體管.補充件2 IEC 60747-7-1-1989 半導體器件分立器件第7部分:雙極晶體管第1節:低頻和高頻放大環境額定雙極晶體管空白詳細規范 IEC 60747-7-5-2005 半導體器件.分立器件.第7-5部分:電源轉換用雙極晶體管 IEC 60747-7-2-1989 半導體器件分立器件第7部分:雙極晶體管第2節:低頻放大外殼額定雙極晶體管空白詳細規范 IEC 60747-7-2010/AMD1-2019 修改件1.半導體器件.分立器件.第7部分:雙極晶體管 IEC 60747-7-3-1991 半導體器件分立器件第7部分:雙極晶體管第3節:開關用雙極晶體管空白詳細規范 IEC 60747-7-4-1991 半導體器件分立器件第7部分:雙極晶體管第4節:高頻放大外殼額定雙極晶體管空白詳細規范 IEC 60747-7-5-2005 半導體器件.分立器件.第7-5部分:電源轉換用雙極晶體管 IEC 60747-8 AMD 1-2021 半導體器件. 分立器件. 第8部分: 場效應晶體管. 修改件1 IEC 60747-8 AMD 2-1993 第2次修改 IEC 60747-8 Edition 3.1-2021 半導體器件. 分立器件. 第8部分: 場效應晶體管 IEC 60747-8-1-1987 半導體器件分立器件第8部分:場效應晶體管第1節:5W、1GHz以下的單柵場效應晶體管空白詳細規范 IEC 60747-8-am1 ed3.0 IEC 60747-8-2-1993 半導體器件分立器件第8部分:場效應晶體管第2節:外殼額定功率放大場效應晶體管空白詳細規范 IEC 60747-8-2010/AMD1-2021 修改件1.半導體器件.分立器件.第8部分:場效應晶體管 IEC 60747-8-4-2004 半導體分立器件.第8-4部分:電力開關裝置用金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFETs) IEC 60747-9 AMD 1-2001 半導體器件分立器件第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBTS) 修改1 IEC 60747-9 Edition 1.1-2001 半導體器件.分立器件.第9部分:絕緣雙極晶體管(IGBTS) IEC 60747-9-2019 IEC 60747-9-2019

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