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序號項目中文名稱制修訂1馬鈴薯莖葉及其加工制品中茄尼醇的含量測定高效液相色譜-質譜法制訂2甘蔗皮渣中對香豆酸檢測方法-高效液相色譜法制訂3半導體器件分立器件第14-4部分：半導體加速度計制訂4半導體器件第16-5部分：微波集成電路振蕩器制訂5半導體器件第14-2 部分：半導體傳感器-霍爾元件制訂6無損檢測泄漏檢測示蹤氣體方法制訂7鋼鐵及合金鑭、鈰、鐠、釹、釤含量的測定電感耦合等離子體質譜法制訂8半導體器件第...
GaN外延材料方面，已實現商業化的6英寸Si基GaN外延材料和器件，GaN外延層厚度超過5μm（耐壓600V）。器件國內可量產600V-2500V的SiC SBD產品，部分開始形成銷售；研制出3300V SiC SBD、1200V-3300V的SiC MOSFET原型器件，尚不具備產業化能力。...
微波單片可集成小信號接收鏈路和發射鏈路部分電路 , 接收鏈路包括低噪聲放大器、混頻、增益控制等 , 甚至包括高性能模擬 – 數字轉換器 (analog-to-digital converter, ADC) 等 , 發射鏈路包括信號產生、混頻、功率放大器等 . 不同的半導體材料具有不同的本征參數 , 有著不同的用途 . 幾種半導體材料特征參數如表 3 所示 ....
DAHI計劃實現集成的微系統的設備和材料包括：（1）基于硅CMOS的模擬和數字電路高度集成；（2）基于氮化鎵（GaN）的高功率、高電壓和低噪聲放大器（3）基于砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）異質結雙極晶體管（HBT）和高電子遷移率晶體管（HEMT）的高速/高動態范圍、低噪聲電路（4）基于銻基化合物半導體的高速、低功耗電子器件（5）用于直接帶隙光子源和探測器的化合物半導體光電器件，以及硅基架構的調制器和波導等...
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