IEC 60747-4-1:2000
半導體器件 分立器件 第4-1部分:微波二極管和晶體管 微波場效應晶體管 空白詳細規范

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4-1: Microwave diodes and transistors; Microwave field effect transistors; Blank detail specification

作廢

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標準號

IEC 60747-4-1:2000

發布

2000年

中文版

GB/T 21039.1-2007 (等同采用的中文版本)

發布單位

國際電工委員會

當前最新

IEC 60747-4-1:2000

 

 

適用范圍

IEC電子元器件質量評定體系遵循lEC章程并在1EC授權下工作。該體系的日的是確定質量評 定程序，以這種方式使一個參加國按有關規范要求放行的電子元器件無需進一步試驗而為其他所有參 加國同樣接受。 本空白詳細規范是半導體器件的一系列空白詳細規范之一，并應與下列國家標準一起使用。 GB／T 4589．1—2006 半導體器件 第10部分：分立器件和集成電路總規范(1EC 60747—10： 1991，1DT) GB／T 12560—1999 半導體器件 分立器件分規范(idt IEC 60747—11：1996) 要求的資料 本頁及下頁方括號內的數字與下列各項要求的資料相對應，這些資料應填入相應欄中。 詳細規范的識別 [1] 授權發布詳細規范的國家標準化機構名稱。 [2]詳細規范的IECQ編號。 [3] 總規范和分規范的編號及版本號。 [4] 詳細規范的國家編號、發布日期及國家標準體系要求的任何資料。 器件的識別 [5]器件的類型。 [6] 典型結構和應用資料。如果一種器件有幾種應用，則應在詳細規范中說明。這些應用的特 性、極限值和檢驗要求均應予以滿足。如果器件是靜電敏感型或含有危險材料，如氧化鈹，應 在詳細規范中給出注意事項。 [7] 外形圖和(或)引用有關的外形標準。 [8]質量評定類別。 [9] 能在器件型號之間比較的最重要特性的參考數據。 [在本規范中，方括號里給出的文字是用于指導詳細規范的編寫者，不應納入詳細規范中。] [在本規范中，“×”表示應在詳細規范中規定特性或額定值的值。]

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