<td id="ccaac"></td>

<table id="ccaac"><rt id="ccaac"></rt></table>

KS C IEC 60747-4-1-2020
半導體器件分立器件第4部分 1：微波二極管和晶體管微波場效應晶體管空白詳細規范

Semiconductor devices－Discrete devices－Part 4－1：Microwave diodes and transistors－Microwave field effect transistors－Blank detail specification

標準號: KS C IEC 60747-4-1-2020
發布: 2020年
發布單位: 韓國科技標準局
當前最新: KS C IEC 60747-4-1-2020

專題

KS C IEC 60747-4-1-2020相似標準

GB/T 21039.1-2007 半導體器件分立器件第4-1部分:微波二極管和晶體管微波場效應晶體管空白詳細規范 BS IEC 60747-4-1:2000 半導體器件分立器件微波二極管和晶體管微波場效應晶體管空白詳細規范微波場效應晶體管BDS GB/T 12560-1999 半導體器件分立器件分規范 SJ 20756-1999 半導體分立器件結構相似性應用指南 IEC 60747-4-1:2000 半導體器件分立器件第4-1部分:微波二極管和晶體管微波場效應晶體管空白詳細規范

Copyright ?2007-2024 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP備07018254號京公網安備1101085018 電信與信息服務業務經營許可證：京ICP證110310號
頁面更新時間: 2024-09-17 17:16

<td id="ccaac"></td>

<table id="ccaac"><rt id="ccaac"></rt></table>