俄羅斯電子公司總經理伊戈爾·克斯洛夫表示,“半導體領域的新研發最終將確保未來技術裝備的作戰效果,使其不受所應用領域的限制。這也是未來數字化時代的基礎,因此俄羅斯電子公司盡一切努力開發前瞻性研究,并運用其研制具有競爭優勢的產品基于氮化鎵及其固溶體的異質外延結構是二極管和激光器等光電器件的重要組成部分,在無線電、電子、微波晶體管、信號放大器、開關晶體管、功率轉換器等設備的運用日益廣泛。...
一、功率半導體類型及區別功率半導體根據器件集成度不同,功率半導體可以分為功率 IC 和功率分立器件兩大類。功率分立器件包括二極管、晶體管、晶閘管三大類別,其中晶體管是分立器件中市場份額最大的種類。...
0-光電(即光敏)二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結的其他器件、┄┄依此類推。第二部分:日本電子工業協會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業協會JEIA注冊登記的半導體分立器件。第三部分:用字母表示器件使用材料極性和類型。...
光電二極管是具有兩端電極的半導體器件。該結構的簡單性便于制造和操作。光電二極管通常具有快速的響應時間,在直接間隙半導體的情況下,可以微秒或更小的值測量。1951年由William Shockley率先推出的光電晶體管是三端器件;光電晶體管使用光子流作為附加終端。它們能夠在單個器件中實現光檢測,光調制,電場控制切換和信號放大的功能。...
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