現在,許多生產商可提供額定開關功率36MVA(6kV/6kA)用的高壓大電流GTO。傳統GTO的典型的關斷增量僅為3~5。GTO關斷期間的不均勻性引起的“擠流效應”使其在關斷期間dv/dt必須限制在500~1kV/μs。為此,人們不得不使用體積大、昂貴的吸收電路。另外它的門極驅動電路較復雜和要求較大的驅動功率。...
3、晶閘管型號的后綴也是數字,通常標出最大反向峰值耐壓值和最大反向關斷電壓中數值較小的那個電壓值。如:BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管,AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。五、歐洲早期半導體分立器件型號命名法歐洲有些國家,如德國、荷蘭采用如下命名方法。第一部分:O-表示半導體器件第二部分:A-二極管、C-三極管、AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩壓管、RP-光電器件。...
第四部分:用數字表示序號;第五部分:用漢語拼音字母表示規格號;例如:3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管日本半導體分立器件型號命名方法日本生產的半導體分立器件,由五至七部分組成。通常只用到前五個部分,其各部分的符號意義如下:第一部分:用數字表示器件有效電極數目或類型。...
晶體三極管,是半導體基本元器件之一,具有電流放大作用,是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結,兩個PN結把整塊半導體分成三部分,中間部分是基區,兩側部分是發射區和集電區,排列方式有PNP和NPN兩種。晶體三極管的結構和作用分析結構類型晶體三極管,是半導體基本元器件之一,具有電流放大作用,是電子電路的核心元件。...
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