IEC 60747-8-1:1987
半導體器件 分立器件 第8部分:場效應晶體管 第1節:5W、1GHz以下的單柵場效應晶體管空白詳細規范
Semiconductor devices - Discret devices. Part 8: Field-effect transistors. Blank detail specification for single-gate field-effect transistors, up to 5 W and 1 GHz.
- 標準號
- IEC 60747-8-1:1987
- 發布
- 1987年
- 發布單位
- 國際電工委員會
- 當前最新
- IEC 60747-8-1:1987
- 適用范圍
- 適用于場效應晶體管的質量評估。給出了具體要求（包含在 IECQ 系統的 QC 750112 中），代表了高達 5 W 和 1 GHz 的單柵極場效應晶體管的空白詳細規范。
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