IEC 60747-8-3:1995由國際電工委員會 IX-IEC 發布于 1995-04。
IEC 60747-8-3:1995 在中國標準分類中歸屬于: L40 半導體分立器件綜合,L56 半導體集成電路,在國際標準分類中歸屬于: 31.240 電子設備用機械構件。
The object of the quality assessment system for electronic components is to define quality assessment procedures in such a manner that electronic components released by one participating country as conforming with the requirements of an applicable specif
3.1有機場效應晶體管OFETs可以用作價格標簽,智能卡和傳感器的基本組件,對于制造具有塑料基板的低成本,大面積器件是理想的。OFET器件包含三個不同的部件:薄的半導體層,柵極絕緣體層和三個金屬電極。半導體層通常用小分子或聚合物材料制成。對于小分子,通常通過熱沉積來制造半導體膜。關于共軛聚合物,通過旋涂或印刷方法形成膜。通過調整制造條件,如何提高半導體膜的質量仍在進行研究。...
與傳統的第1代、第2代半導體材料硅(Si)和砷化鎵(GaAs)相比,第3代半導體具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、介電常數小等獨特的性能,使其在光電器件、電力電子、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現出巨大的潛力,是世界各國半導體研究領域的熱點。...
圖8揭示出國內外在太赫茲領域論文成果突出的10個科研機構,俄羅斯科學院與中國科學院近幾年論文量一直不相上下,在2015年SCI論文量最高的為俄羅斯科學院(88篇),其次為中國科學院(82篇)。中國電子科技大學近幾年在該領域呈現出蓬勃的發展趨勢,機構論文量排名相繼從2013年的第10位增長到2014年第7位,并在2015年躍至第4位。...
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