• <li id="ccaac"></li>
  • <table id="ccaac"><rt id="ccaac"></rt></table>
  • <td id="ccaac"></td>
  • <td id="ccaac"></td>
  • IEC 60747-8-3:1995
    半導體器件 分立器件 第8部分:場效應晶體管 第3節:外殼額定開關場效應晶體管空白詳細規范

    Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors - Section 3: Blank detail specification for case-rated field-effect transistors for switching applications


    標準號
    IEC 60747-8-3:1995
    發布
    1995年
    發布單位
    國際電工委員會
    當前最新
    IEC 60747-8-3:1995
     
     
    被代替標準
    IEC/DIS 47(CO)1350:1993
    適用范圍
    電子元件質量評估體系的目標是定義質量評估程序,使一個參與國發布的電子元件符合適用規范的要求。

    IEC 60747-8-3:1995相似標準


    推薦

    Vellaisamy A L Roy課題組Adv. Mater.最新綜述:柔性傳感器發展概述

    3.1有機場效應晶體管OFETs可以用作價格標簽,智能卡和傳感器的基本組件,對于制造具有塑料基板的低成本,大面積器件是理想的。OFET器件包含三個不同的部件:薄的半導體層,柵極絕緣體層和三個金屬電極。半導體層通常用小分子或聚合物材料制成。對于小分子,通常通過熱沉積來制造半導體膜。關于共軛聚合物,通過旋涂或印刷方法形成膜。通過調整制造條件,如何提高半導體膜的質量仍在進行研究。...

    史上最全第三代半導體產業發展介紹|碳化硅元器件的昨天、今天、明天!

    與傳統的1代、2代半導體材料硅(Si)和砷化鎵(GaAs)相比,3代半導體具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、介電常數小等獨特的性能,使其在光電器件、電力電子、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現出巨大的潛力,是世界各國半導體研究領域的熱點。...

    中國的太赫茲技術研究有望領先全球

    8揭示出國內外在太赫茲領域論文成果突出的10個科研機構,俄羅斯科學院與中國科學院近幾年論文量一直不相上下,在2015年SCI論文量最高的為俄羅斯科學院(88篇),其次為中國科學院(82篇)。中國電子科技大學近幾年在該領域呈現出蓬勃的發展趨勢,機構論文量排名相繼從2013年的10位增長到2014年7位,并在2015年躍至4位。...





    Copyright ?2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
    京ICP備07018254號 京公網安備1101085018 電信與信息服務業務經營許可證:京ICP證110310號

  • <li id="ccaac"></li>
  • <table id="ccaac"><rt id="ccaac"></rt></table>
  • <td id="ccaac"></td>
  • <td id="ccaac"></td>
  • 床戏视频