GB/T 20229-2022由國家市場監督管理總局、中國國家標準化管理委員會 發布于 2022-03-09,并于 2022-10-01 00:00:00.0 實施。
GB/T 20229-2022 在中國標準分類中歸屬于: H83 化合物半導體材料,在國際標準分類中歸屬于: 29.045 半導體材料。
GB/T 20229-2022 磷化鎵單晶的最新版本是哪一版?
最新版本是 GB/T 20229-2022 。
* 在 GB/T 20229-2022 發布之后有更新,請注意新發布標準的變化。
本文件規定了磷化鎵單晶的牌號、技術要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸、貯存和隨行文件及訂貨單內容。 本文件適用于制作光電、微電及聲光器件用的磷化鎵單晶錠及磷化鎵單晶研磨片。
Mn3o4),高比容鉭粉、細徑鉭絲,高性能電子漿料,大功率壓電陶瓷和熱釋電陶瓷材料等功能陶瓷材料,氧化銦錫大型靶材,高性能液晶材料超凈高純化學試劑,電子特種氣體,3英寸以上鈮酸鋰和鉭酸鋰單晶、光刻多晶膠、多晶硅、8英寸單晶硅及外延片,砷化鎵材料,以及磷化銦、氮化鎵、磷化鎵單晶,超高亮度發光二胡管用化合物單晶...
? ? ? ??在利用太陽能進行水分解的過程中,用于光吸收的材料(如硅、砷化鎵)很容易受到水溶液的腐蝕而喪失原有功能。 加州理工學院人工光合作用聯合中心(JCAP)的研究人員近日宣布開發出一種方法,能夠保護用于光吸收的半導體材料。 研究人員使用原子層沉積方法在單晶硅、砷化鎵或磷化...
近日,中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶,達到國際最高水平。 氧化鎵是新型超寬禁帶半導體材料,擁有優異的物理化學特性,在微電子與光電子領域均擁有廣闊的應用前景。但因具有高熔點、高溫分解以及易開裂等特性,因此,大尺寸氧化鎵單晶制備極為困難。 中國電科46所氧化鎵團隊聚焦多晶面、大...
近日,中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶,達到國際最高水平。 氧化鎵是新型超寬禁帶半導體材料,擁有優異的物理化學特性,在微電子與光電子領域均擁有廣闊的應用前景。但因具有高熔點、高溫分解以及易開裂等特性,因此,大尺寸氧化鎵單晶制備極為困難。 中國電科46所氧化鎵團隊聚焦多晶面...
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