而 HBT 組件在相位噪聲,高 gm、高功率密度、崩潰電壓與線性度上占優勢,另外它可以單電源操作,因而簡化電路設計及次系統實現的難度,十分適合于射頻及中頻收發模塊的研制,特別是微波信號源與高線性放大器等電路。? 砷化鎵生產方式和傳統的硅晶圓生產方式大不相同,砷化鎵需要采用磊晶技術制造,這種磊晶圓的直徑通常為 4-6 英寸,比硅晶圓的 12 英寸要小得多。...
FSM413紅外激光測厚儀產品簡介:1、利紅外干涉測量技術,非接觸式測量。2、適用于所有可讓紅外線通過的材料硅、藍寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石?英、聚合物…FSM413紅外激光測厚儀規格:1、測量方式:紅外干涉(非接觸式)。2、樣本尺寸:50、75、100、200、300 mm, 也可以訂做客戶需要的產品尺寸。3、測量厚度:15—780μm (單探頭);3 mm (雙探頭總厚度測量)。...
半導體激光器又稱激光二極管,是用半導體材料作為工作物質的激光器。由于物質結構上的差異,不同種類產生激光的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。 半導體激光器件,可分為同質結、單異質結、雙異質結等幾種。...
半導體激光器又稱激光二極管,是用半導體材料作為工作物質的激光器。由于物質結構上的差異,不同種類產生激光的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。 半導體激光器件,可分為同質結、單異質結、雙異質結等幾種。...
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