這種通過高溫退火工藝所制備的半絕緣晶片既保持了傳統原生摻鐵襯底的高阻特性,同時鐵濃度大幅降低,電學性質、均勻性和一致性顯著提高。目前半絕緣類型 InP 襯底的生產質量亟待改善和提高。? ? 原生半絕緣 InP 是通過在單晶生長過程中摻入鐵原子來制備的。為了達到半絕緣化的目的,鐵原子的摻雜濃度較高,高濃度的鐵很可能會隨著外延及器件工藝過程發生擴散。...
砷化鎵于1964年進入實用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數量級以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5~6倍,故在制作微波器件和高速數字電路方面得到重要應用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點。此外,還可以用于制作轉移器件──體效應器件。...
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