這種通過高溫退火工藝所制備的半絕緣晶片既保持了傳統原生摻鐵襯底的高阻特性,同時鐵濃度大幅降低,電學性質、均勻性和一致性顯著提高。目前半絕緣類型 InP 襯底的生產質量亟待改善和提高。? ? 原生半絕緣 InP 是通過在單晶生長過程中摻入鐵原子來制備的。為了達到半絕緣化的目的,鐵原子的摻雜濃度較高,高濃度的鐵很可能會隨著外延及器件工藝過程發生擴散。...
針對直拉單晶硅中雜質元素以及氮氧復合體的測量,布魯克CryoSAS全自動、高靈敏度工業低溫硅質量控制分析系統,通過測試位于中/遠紅外波段間隙氧(1136.3cm-1, 1205.6cm-1)[7],代位碳(607.5cm-1)[6,7],III-V族元素[4,5]以及氮氧復合體吸收譜帶(249.8,240.4cm-1[1,2]),通過直接或間接計算獲得相應元素含量值。...
?GB/T 1910-2015?新聞紙?GB/T 19199-2015?半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法?GB/T 19341-2015?育果袋紙?GB/T 19769.1-2015?功能塊 第1部分:結構?GB/T 19769.2-2015?功能塊 第2部分:軟件工具要求?GB/T 19769.4-2015?功能塊 第4部分:一致性行規指南?GB/T 19835-2015?自限溫電伴熱帶...
2016-07-01103GB/T 18987-2015放射治療設備 坐標、運動與刻度GB/T 18987-20032017-07-01104GB/T 19199-2015半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法GB/T 19199-20032016-07-01105GB 19577-2015冷水機組能效限定值及能效等級GB 19577-20042017-01-01106GB/T 19633.1-...
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