半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2濃度紅外吸收測試方法, 您可以免費下載預覽頁
在 InP 晶體中,半絕緣的形成機理大致可概括為兩個方面:一是通過摻入深受主(元素)補償淺施主來實現半絕緣態,原生摻鐵的半絕緣磷化銦就屬于這種情況;另一種是通過新缺陷的形成使淺施主的濃度降低,同時駐留的深受主(元素)也發生補償,非摻雜半絕緣磷化銦就屬于這一類,這種新缺陷可以在高溫退火以及輻照等過程中形成。...
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