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  • GB/T 17170-2015
    半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2濃度紅外吸收測試方法

    Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy

    GBT17170-2015, GB17170-2015


    說明:

    • 此圖僅顯示與當前標準最近的5級引用;
    • 鼠標放置在圖上可以看到標題編號;
    • 此圖可以通過鼠標滾輪放大或者縮小;
    • 表示標準的節點,可以拖動;
    • 綠色表示標準:GB/T 17170-2015 , 綠色、紅色表示本平臺存在此標準,您可以下載或者購買,灰色表示平臺不存在此標準;
    • 箭頭終點方向的標準引用了起點方向的標準。
    GB/T 17170-2015

    標準號
    GB/T 17170-2015
    別名
    GBT17170-2015
    GB17170-2015
    發布
    2015年
    發布單位
    國家質檢總局
    當前最新
    GB/T 17170-2015
     
     
    引用標準
    GB/T 14264
    被代替標準
    GB/T 17170-1997
    適用范圍
    本標準規定了半絕緣砷化久單晶深施主EL2 濃度的紅外吸收測試方法。 本標準適用于電阻率大于10”0,cm 的非挫雜和碳挫雜半絕緣砷化兒單品深施主EL2 濃度的測定。 本標準不適用于挫鉻半絕緣砷化餅單晶深施主EL2 濃度的測定。

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