SJ 3244.3-1989
砷化鎵、磷化銦單晶晶向的測量方法已作廢

Methods of measurement for crystal-orientation of single crystal of Gallium arsenide and Indium phosphide

SJ 3244.3-1989 發布歷史

本標準規定了砷化鎵、磷化銦單晶錠端面及晶片晶向的X射線衍射測量原理、測量步驟、結果計算以及精度。 本標準適用于晶片表面大體平行于(10^(·)以內)某一低密勒指數原子面的單晶片的晶向測定。

SJ 3244.3-1989由行業標準-電子 CN-SJ 發布于 1989-03-20，并于 1989-03-25 實施，于 2010-02-25 廢止。

SJ 3244.3-1989 在中國標準分類中歸屬于: H83 化合物半導體材料，在國際標準分類中歸屬于: 29.045 半導體材料。

SJ 3244.3-1989的歷代版本如下：

• 1989年03月20日 SJ 3244.3-1989 砷化鎵、磷化銦單晶晶向的測量方法

標準號

SJ 3244.3-1989

發布日期

1989年03月20日

實施日期

1989年03月25日

廢止日期

2010-02-25

中國標準分類號

H83

國際標準分類號

29.045

發布單位

CN-SJ

適用范圍

本標準規定了砷化鎵、磷化銦單晶錠端面及晶片晶向的X射線衍射測量原理、測量步驟、結果計算以及精度。 本標準適用于晶片表面大體平行于(10^(·)以內)某一低密勒指數原子面的單晶片的晶向測定。