4.閘流體效應:A:是發光二極管在正常電壓下無法導通,當電壓加高到一定程度,電流產生突變。B:產生閘流體現象原因是發光材料外延片生長時出現了反向夾層,有此現象的LED在IF=20MA時測試的正向壓降有隱藏性,在使用過程是出于兩極電壓不夠大,表現為不亮,可用測試信息儀器從晶體管圖示儀測試曲線,也可以通過小電流IF=10UA下的正向壓降來發現,小電流下的正向壓降明顯偏大,則可能是該問題所致。...
在某種程度上,這項新的研究依賴于成熟的半導體生長技術——分子束外延,即被蒸發出來的基材沉積在一個表面上并自組裝形成層狀或納米結構。俄亥俄州立大學的研究人員使用這項技術在鈦、鉭等金屬箔片上生長緊密堆積的鋁氮化鎵電線。這根單獨的導線長約200納米,直徑約為20-50納米,肉眼不可見,比人的頭發還要細幾千倍。實驗室測試結果表明,在金屬箔片上生長的納米線和在又貴又不方便的單晶硅上制備的導線亮度相近。...
中環新光科技有限公司是中科院物理研究所與天津中環電子信息集團有限公司共同合作,依托物理所LED產品研發技術而成立的企業,主要生產超高亮度紅光LED外延片。物理所利用技術優勢,負責解決超高亮度紅光發光二極管外延片制備中的關鍵技術與工藝問題,并派駐科研人員給予技術指導,實地解決生產過程中出現的問題。物理所與中環新光的合作,使LED的研發形成了從科學研究到成果應用,再到產業化的價值鏈。 ...
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