本標準規定了可見光發光二極管外延片(以下簡稱外延片)的幾何參數、表面缺陷、結構參數及光電參數的測試方法。本標準適用于鎵砷磷系、鎵鋁砷系、鋁鎵銦磷系及鋁鎵銦氮系外延片。
展開 function _typeof(e){ return e...
紫外可見分光光度計熒光檢測分析用干涉濾光片的透光率摘要:熒光檢測分析用干涉濾光片包括激發濾光片(exciter filter,EX)、發射濾光片(emission filter,EM)、分色鏡(dichroic mirror,DM)等。本文依據《JB T 13360-2018 熒光檢測分析用...
利用 ALLOS 的 200 mm 和 300 mm 硅基氮化鎵外延片,將 microLED 應用于硅產業領域 近日,為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應對 microLED 生產產量方面的挑戰,ALLOS 應用其獨特的應變工程技術,展示了 200 mm 硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 外延片...
雖然在商用化學氣相沉積設備中可以在一次運行中實現多片4H-SiC襯底的同質外延生長,但是必須將晶片裝載到可旋轉的大型基座上,這導致基座的直徑隨著數量或者外延晶片總面積的增加而增加。在這項工作中,我們展示了一種簡便的方法,通過自制的常規單晶片化學氣相沉積設備,在沒有大型基座的情況下,在簡單的支架上放置...
Copyright ?2007-2024 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP備07018254號 京公網安備1101085018 電信與信息服務業務經營許可證:京ICP證110310號
頁面更新時間: 2024-09-03 08:11