YS/T 1167-2016
硅單晶腐蝕片

Monocrystalline silicon etched wafers

YS/T 1167-2016 發布歷史

本標準規定了硅單晶腐蝕片的牌號及分類、要求、試驗方法、檢驗規則以及標志、包裝、運輸、貯存、質量證明書和訂貨單(或合同)內容。 本標準適用于直拉法、懸浮區熔法(包括區熔中子嬗變和氣相摻雜)制備的硅單晶研磨片經化學腐蝕液去除表面損傷層后制備的酸腐蝕片和堿腐蝕片(以下簡稱腐蝕片)。產品主要用于制作晶體管、整流管、特大功率晶閘管、光電器件等半導體元器件或進一步加工成硅拋光片。

YS/T 1167-2016由行業標準-有色金屬 CN-YS 發布于 2016-07-11，并于 2017-01-01 實施。

YS/T 1167-2016 在中國標準分類中歸屬于: H82 元素半導體材料，在國際標準分類中歸屬于: 29.045 半導體材料。

YS/T 1167-2016 發布之時，引用了標準

• GB/T 1550 非本征半導體材料導電類型測試方法*， 2018-12-28 更新
• GB/T 1555 半導體單晶晶向測定方法
• GB/T 2828.1 計數抽樣檢驗程序 第1部分：按接收質量限(AQL)檢索的逐批檢驗抽樣計劃
• GB/T 6616 半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法
• GB/T 6618 硅片厚度和總厚度變化測試方法
• GB/T 6620 硅片翹曲度非接觸式測試方法
• GB/T 11073 硅片徑向電阻率變化的測量方法
• GB/T 12962 硅單晶
• GB/T 12965 硅單晶切割片和研磨片*， 2018-09-17 更新
• GB/T 13387 硅及其他電子材料晶片參考面長度測量方法
• GB/T 13388 硅片參考面結晶學取向X射線測試方法
• GB/T 14140 硅片直徑測量方法
• GB/T 14264 半導體材料術語
• GB/T 14844 半導體材料牌號表示方法*， 2018-12-28 更新
• GB/T 20503 鋁及鋁合金陽極氧化 陽極氧化膜鏡面反射率和鏡面光澤度的測定20°、45°、60°、85°角度方向
• GB/T 26067 硅片切口尺寸測試方法
• GB/T 29505 硅片平坦表面的表面粗糙度測量方法
• GB/T 30453 硅材料原生缺陷圖譜
• YS/T 26 硅片邊緣輪廓檢驗方法
• YS/T 28 硅片包裝

* 在 YS/T 1167-2016 發布之后有更新，請注意新發布標準的變化。

YS/T 1167-2016的歷代版本如下：

• 2016年07月11日 YS/T 1167-2016 硅單晶腐蝕片

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標準號

YS/T 1167-2016

發布日期

2016年07月11日

實施日期

2017年01月01日

廢止日期

無

中國標準分類號

H82

國際標準分類號

29.045

發布單位

CN-YS

引用標準

GB/T 1550 GB/T 1555 GB/T 2828.1 GB/T 6616 GB/T 6618 GB/T 6620 GB/T 11073 GB/T 12962 GB/T 12965 GB/T 13387 GB/T 13388 GB/T 14140 GB/T 14264 GB/T 14844 GB/T 20503 GB/T 26067 GB/T 29505 GB/T 30453 YS/T 26 YS/T 28

適用范圍

本標準規定了硅單晶腐蝕片的牌號及分類、要求、試驗方法、檢驗規則以及標志、包裝、運輸、貯存、質量證明書和訂貨單(或合同)內容。 本標準適用于直拉法、懸浮區熔法(包括區熔中子嬗變和氣相摻雜)制備的硅單晶研磨片經化學腐蝕液去除表面損傷層后制備的酸腐蝕片和堿腐蝕片(以下簡稱腐蝕片)。產品主要用于制作晶體管、整流管、特大功率晶閘管、光電器件等半導體元器件或進一步加工成硅拋光片。