GB/T 30856-2014
LED外延芯片用砷化鎵襯底
GaAs substrates for LED epitaxial chips
GBT30856-2014, GB30856-2014
- 標準號
- GB/T 30856-2014
- 別名
- GBT30856-2014, GB30856-2014
- 發布
- 2014年
- 發布單位
- 國家質檢總局
- 當前最新
- GB/T 30856-2014
- 引用標準
- GB/T 13387 GB/T 13388 GB/T 14140 GB/T 14264 GB/T 14844 GB/T 1555 GB/T 191 GB/T 2828.1 GB/T 4326 GB/T 6616 GB/T 6618 GB/T 6620 GB/T 6621 GB/T 6624 GB/T 8760 SEMI M9.7-0200
- 適用范圍
- 本標準規定了LED外延芯片用砷化鎵單晶襯底片(以下簡稱襯底)的要求、檢驗方法和規則以及標志、包裝、運輸、儲存、質量證明書與訂貨單(或合同)內容。本標準適用于LED外延芯片用的砷化鎵單晶襯底。
GB/T 30856-2014相似標準
推薦
淺析適用于射頻微波等高頻電路的半導體材料及工藝 -1
砷化鎵生產方式和傳統的硅晶圓生產方式大不相同，砷化鎵需要采用磊晶技術制造，這種磊晶圓的直徑通常為 4-6 英寸，比硅晶圓的 12 英寸要小得多。磊晶圓需要特殊的機臺，同時砷化鎵原材料成本高出硅很多，最終導致砷化鎵成品 IC 成本比較高。磊晶目前有兩種，一種是化學的 MOCVD，一種是物理的 MBE。? ?...
?砷化鎵生產方式介紹
以硅片作襯底， MOCVD技術異質外延方法制造GaAs電池是降用低成本很有希望的方法。已研究的砷化鎵系列太陽電池有單晶砷化鎵，多晶砷化鎵，鎵鋁砷--砷化鎵異質結，金屬-半導體砷化鎵，金屬--絕緣體--半導體砷化鎵太陽電池等。...
砷化鎵太陽能電池性能詳解
用GaAs作襯底的光電池效率高達29.5%（一般在19.5%左右） ，產品耐高溫和輻射，但生產成本高，產量受限，目前主要作空間電源用。以硅片作襯底， MOCVD技術異質外延方法制造GaAs電池是降用低成本很有希望的方法。已研究的砷化鎵系列太陽電池有單晶砷化鎵，多晶砷化鎵，鎵鋁砷--砷化鎵異質結，金屬-半導體砷化鎵，金屬--絕緣體--半導體砷化鎵太陽電池等。...
深紫外LED醫療研發成新熱點
作為國內氮化鋁鎵基深紫外LED的重要研發機構，中國科學院半導體研究所半導體照明研發中心在國家863計劃的支持下，在氮化鋁鎵材料的外延生長和摻雜以及深紫外LED芯片的制備工藝等方面積累了多年研發經驗，目前已成功實現發光波長從260納米到300納米的深紫外LED芯片系列，并已具備產業化批量生產能力。 ...