4、噴鍍金屬:將干燥的樣品用導電性好的粘合劑或其他粘合劑粘在金屬樣品臺上,然后放在真空蒸發器中噴鍍一層50~300埃厚的金屬膜,以提高樣品的導電性和二次電子產額,改善圖象質量,并且防止樣品受熱和輻射損傷。如果采用離子濺射鍍膜機噴鍍金屬,可獲得均勻的細顆粒薄金屬鍍層,提高掃描電子圖象的質量。冷凍方法制備樣品低溫掃描電子顯微術是20世紀80年代迅速發展和廣泛應用的方法。...
主要特點 : ·探頭與主機用60cm電纜連接,便于測量和操作,探頭與主機分開便于探頭污染后去污。 ·響應快速準確,閾值可調。 ·響應時間可設置。 ·攜帶方便,操作簡單。 技術性能: l 碘化鈉閃爍體探頭或半導體探頭(環境級、高污染水平)。 ...
Detector: CDM-EFIB 的形貌觀察只是一個次要功能,它的主要用途切割,可以用來處理半導體,芯片和傳感等。如Fig.6 :一個用 FIB 切出的直徑約 50 納米粗的鉑納米棒。科研上的用途主要是原位透射樣品的制備,減薄,截面樣品的制備。...
最近發展起來的高純鍺Ge探測器,不僅提高了分辨率,而且擴大了探測的能量范圍(從25keV擴展到100keV),特別適用于透射電鏡:如Link的GEM型的分辨率已優于115eV(MnKα)和65eV(FKα),Noran的ExplorerGe探測器,探測范圍可達100keV等。1995年中國科學院上海原子核研究所研制成了Si(Li)探測器,能量分辨率為152eV。...
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