GB/T 24578-2015
硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測試方法

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適用范圍: 本標準規定了使用全反射X光熒光光譜，定量測定硅拋光襯底表面層的元素面密度的方法。本標準適用于硅單晶拋光片、外延片（以下稱硅片），尤其適用于硅片清洗后自然氧化層，或經化學方法生長的氧化層中沾污元素面密度的測定，測定范圍為10⁹ atoms/cm²~10¹⁵ atoms/cm² 。本標準同樣適用于其他半導體材料，如砷化鎵、碳化硅、SOI等鏡面拋光晶片表面金屬沾污的測定。對良好的鏡面拋光表面，可探測深度約5nm，分析深度隨表面粗糙度的改善而增大。本方法可檢測元素周期表中原子序數16(S)~92(U)的元素，尤其適用于測定以下元素：鉀、鈣、鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、砷、鉬、鈀、銀、錫、鉭、鎢、鉑、金、汞和鉛。本方法的檢測限取決于原子序數、激勵能、激勵X射線的光通量、設備的本底積分時間以及空白值。對恒定的設備參數，無干擾檢測限是元素原子序數的函數，其變化超過兩個數量級。重復性和檢測限的關系見附錄A。本方法是非破壞性的，是對其他測試方法的補充，與不同表面金屬測試方法的比較及校準樣品的標定參見附錄B。

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