薄膜沉積技術可以分為化學氣相沉積(CVD)和物理氣相沉積(PVD)。對于CVD工藝,這包括原子層沉積(ALD)和等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)。PVD沉積技術包括濺射,電子束和熱蒸發。CVD工藝包括使用等離子體將源材料與一種或多種揮發性前驅物混合以化學相互作用并使源材料分解。該工藝使用較高壓力的熱量,從而產生了更可再現的薄膜,其中薄膜厚度可以通過時間/功率來控制。...
項目的意義現在金屬材料表面處理的技術有化學電鍍,物理氣相法PVD、化學氣相法CVD、堆焊、氧乙炔火焰噴涂、高能束涂覆法、自蔓延燃燒合成熱等離子體噴涂等方法。相對來說,熱等離子體噴涂是目前國內外最常用的金屬表面陶瓷涂層技術,但存在著涂層的組織呈粗大的片層狀、空隙度高,裂紋多,且涂層與基體間為機械結合容易剝落,抗沖擊性能差、不適合重載、沖擊和高應力工作條件等嚴重問題。...
05氣相沉淀????氣相沉積是指利用氣相中發生的物理化學反應,在材料表面形成具有特種性能的金屬或化合物涂層的過程。按照成膜機理,可分為化學氣相沉積、物理氣相沉積和等離子體氣相沉積。????航天裝備中的一些微電子芯片、微波元器件常常利用化學氣相沉積得到所需沉積薄膜,所涉及的材料大多數為硅、碳纖維、碳納米纖維、SiO2、氮化硅等材料。...
由于反應氣體、反應產物和基體的相互擴散,可以得到附著力好的膜層,這對表面鈍化、抗蝕及耐磨等表面增強膜是很重要的。二、兩者的實質不同:1、物理氣相沉積法的實質:用物理的方法(如蒸發、濺射等)使鍍膜材料汽化,在基體表面沉積成膜的方法。2、化學氣相沉積法的實質:利用氣態或蒸汽態的物質在氣相或氣固界面上發生反應生成固態沉積物的過程。...
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