薄膜沉積技術可以分為化學氣相沉積(CVD)和物理氣相沉積(PVD)。對于CVD工藝,這包括原子層沉積(ALD)和等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)。PVD沉積技術包括濺射,電子束和熱蒸發。CVD工藝包括使用等離子體將源材料與一種或多種揮發性前驅物混合以化學相互作用并使源材料分解。該工藝使用較高壓力的熱量,從而產生了更可再現的薄膜,其中薄膜厚度可以通過時間/功率來控制。...
由于反應氣體、反應產物和基體的相互擴散,可以得到附著力好的膜層,這對表面鈍化、抗蝕及耐磨等表面增強膜是很重要的。二、兩者的實質不同:1、物理氣相沉積法的實質:用物理的方法(如蒸發、濺射等)使鍍膜材料汽化,在基體表面沉積成膜的方法。2、化學氣相沉積法的實質:利用氣態或蒸汽態的物質在氣相或氣固界面上發生反應生成固態沉積物的過程。...
配置的專用的靜電夾還可以夾持藍寶石、藍寶石上的GaN和硅,具備主動冷卻電極可在蝕刻過程中維持樣本溫度不變、高功率ICP源可產生高密度的等離子體、磁隔離裝置可用于增強離子控制和均勻度、高導電的泵送系統等特點。 最后,Dr.David Haynes又為參會人員帶來《PECVD新技術》的精彩報告,報告介紹了感應耦合等離子體-化學氣相沉積、等離子體增強化學氣相沉積、物理氣相沉積技術等。 ...
麻省理工學院化學工程教授Karen Gleason說,從某種意義上說,你可以將化學氣相沉積技術或CVD一直追溯到史前: 她說:"當穴居人點燃一盞燈,煙塵沉積在山洞的墻壁上時,"那是一種初級形式的CVD。 ...
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