利用 ALLOS 的 200 mm 和 300 mm 硅基氮化鎵外延片,將 microLED 應用于硅產業領域 近日,為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應對 microLED 生產產量方面的挑戰,ALLOS 應用其獨特的應變工程技術,展示了 200 mm 硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 外延片的出色一致性和可重復性。此外,公司還報告了其 300 mm 外延片的成功發展藍圖。...
據了解,中博芯已經擁有LED外延用高溫MOCVD、大尺寸Si基GaN外延用MOCVD、4英寸芯片線,以及各類半導體分析測試設備,涵蓋了從外延生長到芯片制備等產業鏈上各環節。“現在,公司有專業的運營管理團隊,我除了公司工作外,依然在北京大學從事教書育人和科學研究。”在創業的同時,沈波并沒有耽誤科研工作。...
已搭建的客戶案例基于325nm激光器激發的PL測量系統,用于GaN、ZnO等半導體材料等材料的測量基于532nm激光器的PL測量,用于InGaN體系材料的PL測量?紫外微區激光熒光/拉曼光譜儀,可搭配冷熱臺實現變溫PL測量(77K-600℃)左右滑動查看更多圖片80-300K的變溫光譜測量:樣品S1為InGaN/GaN多量子阱結構的GaN基LED樣品,樣品S2為帶有簡單p-GaN外延層的對照樣品配置...
第一代半導體材料是以硅(Si)和鍺(Ge)為代表,目前大部分半導體是基于硅基的。第二代半導體材料是以砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)為代表,是4G時代的大部分通信設備的材料。第三代半導體材料以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為四大代表,是5G時代的主要材料。第三代半導體的性能優勢體現在:耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻射、導電性能強、工作速度快、工作損耗低。...
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