GB/T 28276-2012
硅基MEMS制造技術.體硅溶片工藝規范
Silicon-based MEMS fabrication technology.Specification for dissolved wafer process
GBT28276-2012, GB28276-2012
- 標準號
- GB/T 28276-2012
- 別名
- GBT28276-2012, GB28276-2012
- 發布
- 2012年
- 發布單位
- 國家質檢總局
- 當前最新
- GB/T 28276-2012
- 引用標準
- GB 50073-2001 GB/T 19022-2003 GB/T 26111-2010
- 適用范圍
- 本標準規定了采用體硅深片加工工藝進行MEMS器件加工時應遵循的工藝要求和工藝評價規范。 本標準適用于體硅溶片工藝的加工和質量檢驗。
GB/T 28276-2012相似標準
推薦
國家863計劃“6英寸SOI MEMS標準加工技術及應用”驗收
該項目針對航空航天、汽車、地質勘探、物聯網等高端市場對高性能MEMS器件的迫切需求，突破了高精度體硅SOI結構關鍵工藝技術、體硅SOI圓片級封裝技術、微小參數圓片級自動測試及低應力封裝等關鍵技術，建立了圓片級在片測試系統，形成了適用于高性能MEMS器件加工的6英寸SOI MEMS標準工藝，實現了批量封裝生產。 ...
MEMS氣體傳感器的設計與工藝
MEMS更高的表面體積比(表面積比體積)可以提高表面傳感器的敏感程度。(2)硅基加工工藝，可兼容傳統 IC生產工藝：硅的強度、硬度和楊氏模量與鐵相當，密度類似鋁，熱傳導率接近鉬和鎢，同時可以很大程度上兼容硅基加工工藝。...
硅基MEMS制造技術檢測方法國際提案介紹
在這種情況下，MEMS標準化的核心是開發一種或多種適用性較強、穩定的、成品率較高的工藝模塊，并在此基礎上建立相應的設計準則。因此，硅基MEMS制造技術標準代表了目前國際的主流方向，也是MEMS標準化的核心內容，具有極其重要的意義。(2) 微鍵合區鍵合強度的檢測鍵合是MEMS中最常用的工藝之一，鍵合強度是鍵合工藝的一個重要的評價指標。傳統鍵合強度檢測方法只能針對圓片級或大面積鍵合結構的評價。...
應用于射頻的集成無源器件硅基轉接板技術
圖 1 集成 IPD 和 TSV 的硅基轉接板架構圖 ? 1.2 硅基轉接板制造方法 ? 同時集成 IPD 和 TSV 硅基轉接板制造流程為：采用一塊 200 mm（8 英寸）電阻率 10 kΩ·cm的單拋硅片，通過高深寬比 ICP 刻蝕、阻擋層 / 種子層沉積和銅電鍍等一系列工藝實現孔徑 20 μm、深度 85 μm 的 TSV 結構；對晶元正面拋光后，采用大馬士革銅工藝電鍍上...