ISO 25498:2010
微光束分析.解析電子顯微測定法.透射式電子顯微鏡對選定區域進行電子衍射分析
Microbeam analysis - Analytical electron microscopy - Selected-area electron diffraction analysis using a transmission electron microscope
- 標準號
- ISO 25498:2010
- 發布
- 2010年
- 中文版
- GB/T 18907-2013 (等同采用的中文版本)
- 發布單位
- 國際標準化組織
- 替代標準
- ISO 25498:2018
- 當前最新
- ISO 25498:2018
- 引用標準
- ISO/IEC 17025
- 適用范圍
- 本國際標準規定了使用透射電子顯微鏡（TEM）進行選區電子衍射（SAED）分析的方法，以分析薄晶體樣品的微米和亞微米尺寸區域。 此類樣品可以以各種金屬和非金屬材料以及細粉末的薄片形式獲得，或者通過使用提取復制品獲得。 可通過此方法分析的樣本中選定區域的最小直徑取決于顯微鏡物鏡的球面像差系數，對于現代 TEM 而言接近 0.5 μm。 當分析樣品區域的直徑小于0.5μm時，分析程序也可參考本國際標準，但由于球差的影響，圖案中的一些衍射信息可以從外部產生由所選區域孔徑定義的區域。 在這種情況下，如果可以的話，最好使用微衍射或會聚束電子衍射。 選區電子衍射方法的成功取決于對所產生的衍射圖案進行索引的有效性，無論樣品中的哪個軸與入射電子束平行。 因此，此類分析需要樣本傾斜和旋轉設施的幫助。 本國際標準適用于從晶體樣品中獲取 SAED 圖案、索引圖案和衍射常數的校準。
ISO 25498:2010相似標準
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