• <li id="ccaac"></li>
  • <table id="ccaac"><rt id="ccaac"></rt></table>
  • <td id="ccaac"></td>
  • <td id="ccaac"></td>
  • ISO 25498:2018
    微光束分析.解析電子顯微測定法.透射式電子顯微鏡對選定區域進行電子衍射分析

    Microbeam analysis - Analytical electron microscopy - Selected area electron diffraction analysis using a transmission electron microscope


    標準號
    ISO 25498:2018
    發布
    2018年
    發布單位
    國際標準化組織
    當前最新
    ISO 25498:2018
     
     
    引用標準
    ISO/IEC 17025
    適用范圍
    本文件規定了使用透射電子顯微鏡 (TEM) 進行選區電子衍射 (SAED) 分析來分析薄晶體樣品的方法。 本文件適用于微米和亞微米尺寸的測試區域。 通過這種方法可以分析的樣品中選定區域的最小直徑受到顯微鏡物鏡的球面像差系數的限制,并且對于現代 TEM 而言接近數百納米。 當分析樣本區域的尺寸小于該限制時,本文件也可用于分析程序。 但是,由于球面像差的影響,圖案中的一些衍射信息可以從由所選區域孔徑定義的區域外部生成。 在這種情況下,如果可以的話,最好使用微衍射(納米束衍射)或會聚束電子衍射。 本文件適用于從晶體樣品中獲取 SAED 圖案、索引圖案和衍射常數的校準。

    ISO 25498:2018相似標準


    推薦

    電子衍射的應用

    會聚束電子衍射(CBD)如果利用透射電子顯微鏡的聚光系統產生一個束斑很小的會聚電子束照射樣品,形成發散的透射束和衍射束(圖3)。此時,由于存在一定范圍以內的入射方向,通常的衍射“斑點”擴展成為衍射“圓盤”,典型的花樣如圖4所示。除了被分析區域小(100nm以下)以外,會聚束電子衍射的主要優點在于通過圓盤內晶帶軸花樣及其精細結構的分析,可以提供關于晶體對稱性、點陣電勢、色散面幾何等大量結構信息。...

    集成電路失效分析步驟

    2、掃描電子顯微鏡(SEM),利用聚焦離子束轟擊器件面表,面產生許多電子信號,將這些電子信號放大作為調制信號,連接顯示器,可得到器件表面圖像。透射電子顯微鏡(TEM),分辨率可以達到0.1nm,透射電子顯微鏡可以清晰地分析器件缺陷,更好地滿足集成電器失效分析檢測工具的解析要求。3、VC定位技術基于SEM或FIB的一次電子束或離子束,在樣品表面進行掃描。...

    掃描電鏡和透射電鏡之間的對比

    電子顯微鏡按結構和用途可分為透射電子顯微鏡、掃描電子顯微鏡、反射電子顯微鏡和發射電子顯微鏡等。透射電子顯微鏡常用于觀察那些用普通顯微鏡所不能分辨的細微物質結構;掃描電子顯微鏡主要用于觀察固體表面的形貌,也能與 X射線衍射儀或電子能譜儀相結合,構成電子探針,用于物質成分分析;發射電子顯微鏡用于自發射電子表面的研究。   ...

    金屬和合金微觀分析常用技術盤點

    金相顯微組織觀察時,需要對樣品進行打磨、拋光、化學浸蝕后才能觀察,有些樣品打磨之前還需進行鑲嵌處理。  電子顯微鏡 (SEM) 是用聚焦電子束在試樣表面逐點掃描成像,分辨率為6~10nm,主要用于觀察材料表面形貌。當一束高能的入射電子轟擊物質表面時,被激發的區域將產生二次電子、俄歇電子、特征X射線和連續譜X射線、背散射電子、透射電子等。...


    ISO 25498:2018 中可能用到的儀器設備





    Copyright ?2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
    京ICP備07018254號 京公網安備1101085018 電信與信息服務業務經營許可證:京ICP證110310號

  • <li id="ccaac"></li>
  • <table id="ccaac"><rt id="ccaac"></rt></table>
  • <td id="ccaac"></td>
  • <td id="ccaac"></td>
  • 床戏视频