GB/T 6617-2009
硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe
說明：
- 此圖僅顯示與當前標準最近的5級引用；
- 鼠標放置在圖上可以看到標題編號；
- 此圖可以通過鼠標滾輪放大或者縮小；
- 表示標準的節點，可以拖動；
- 綠色表示標準：GB/T 6617-2009 ， 綠色、紅色表示本平臺存在此標準，您可以下載或者購買，灰色表示平臺不存在此標準；
- 箭頭終點方向的標準引用了起點方向的標準。
- 標準號
- GB/T 6617-2009
- 發布日期
- 2009年10月30日
- 實施日期
- 2010年06月01日
- 廢止日期
- 無
- 中國標準分類號
- H80
- 國際標準分類號
- 29.045
- 發布單位
- CN-GB
- 引用標準
- GB/T 1550 GB/T 1552 GB/T 1555 GB/T 14847
- 被代替標準
- GB/T 6617-1995
- 適用范圍
- 本標準規定了硅片電阻率的擴展電阻探針測量方法。 本標準適用于測量晶體晶向與導電類型已知的硅片的電阻率和測量襯底同型或反型的硅片外延層 的電阻率，測量范圍：10-3Ω·cm～102 Ω·cm。